一种增加器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法.pdfVIP

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2024-05-25 发布于四川
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一种增加器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法.pdf

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本发明提供一种增加器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法，将包含栅结构的半导体结构置于反应腔，依次通入含Si和Cl的第一反应气体、含C的第二反应气体、含O的第三反应气体，在栅结构的侧壁形成含Cl的第一薄膜；在反应腔内通入含H的第四反应气体，待第四反应气体与第一薄膜中的Cl完全反应后，停止通入第四反应气体，在栅结构的侧壁形成第二薄膜；第四反应气体为含H的等离子气体；在反应腔内通入含N的第五反应气体，第五反应气体与第二薄膜反应形成第三薄膜；第三薄膜形成于栅结构的侧墙。本发明在SiOCN膜生长过程中增加氢

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073198A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211466813.0

(22)申请日2022.11.22

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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