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一种光电子芯片废水零排放综合处理方法.pdf

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    本发明公开了一种光电子芯片废水零排放综合处理方法，属于含砷废水处理领域，该方法包括如下步骤：S1、含砷含氟废水除氟沉淀处理，S2、含砷废水气浮处理，S3、含砷废水预处理，S4、水解及生化处理，S5、RO反渗透膜浓缩处理，S6、蒸发结晶脱盐，S7、含砷污泥处理。采用本申请的处理工艺，能够实现光电子芯片废水零排放，废水处理系统实现“零排放”达标回用，不仅可减少整个处理系统的外加水量及运行成本，还能增加本废水处理系统的安全稳定性，具有显著的进步意义。本申请工艺合理，能够有效解决光电子芯片废水结晶堵塞、

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118063038A

    (43)申请公布日2024.05.24

    (21)申请号202410369381.4C02F1/00(2023.01)

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