具有气隙的半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2024-05-25 发布于四川
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具有气隙的半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种具有气隙的半导体结构及其制备方法，通过提供一半导体基板，所述半导体基板包括半导体衬底，所述半导体衬底上划分有相邻的第一区域和第二区域，所述半导体衬底的表面包括形成于所述第一区域的牺牲层与形成于所述第二区域的介质层，所述牺牲层中以及所述介质层中分别具有底部与所述半导体衬底相接触的金属导电结构；去除所述牺牲层，以在所述第一区域的金属导电结构外周形成开口；将所述开口封口以形成气隙，从而形成具有气隙的半导体结构。使得形成的所述半导体结构在核心运算区具备气隙，并且非核心运算区的介质层有很好

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073277A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202410363616.9

(22)申请日2024.03.27

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

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