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2024-05-25 发布于四川
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图案化方法及半导体结构.pdf

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本公开涉及一种图案化方法及半导体结构。图案化方法包括：提供基底；在基底上形成沿第一方向间隔排布的多个牺牲部；形成沿第一方向间隔排布的多个第一芯轴，其中，多个第一芯轴分别覆盖多个牺牲部的侧壁，相邻的第一芯轴之间具有第一开口；去除多个牺牲部；形成沿第一方向间隔排布的多个隔离物，其中，多个隔离物分别覆盖多个第一芯轴的侧壁，位于第一开口中的相邻隔离物之间具有第二开口；在第二开口中形成第二芯轴；去除多个隔离物；以多个第一芯轴和第二芯轴为掩模刻蚀基底。上述图案化方法可以在保证掩模图形的尺寸达到图案化制程的尺

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118076094A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211422448.3

(22)申请日2022.11.14

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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