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本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构；该绝缘介质层至少覆设在脊型结构的顶端面上，并具有图形化结构，图形化结构包括间隔分布的多个周期性图案，并且接触层从脊型结构顶端面上未被周期性图案覆盖的区域暴露出；脊型结构的顶端面上还覆设有第一电极，其与接触层形成欧姆接触。本申请通过采用以上设计，能在激光器中形成侧向非均匀性波导结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073963A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211469752.3
(22)申请日2022.11.22
(71)申请人广东中科半导体微纳
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