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2024-05-25 发布于四川
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射频功率的馈入结构及半导体工艺设备.pdf

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本申请公开了一种射频功率的馈入结构及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频功率的馈入结构，包括：馈入结构本体；馈入结构本体的侧壁设有第一环形槽，第一环形槽包括两个沿馈入结构的轴向间隔设置的槽面和连接两个槽面的槽底，两个槽面形成电容结构件，槽底形成电感结构件；电容结构件与电感结构件并联设置，且两者形成的等效电路的并联谐振频率与等离子体及射频功率源之间相互作用产生的高次谐波的频率接近或相等。一种半导体工艺设备，包括上述馈入结构。本申请能够解决驻波效应导致刻蚀均匀性差等问题。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073160A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211475182.9

(22)申请日2022.11.23

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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