认识IGBT-王晓燕讲解.pptx

变频器的应用与维护认识IGBTIGBT外型01IGBT结构0203IGBT基本特性01IGBT外型电压控制型，混合型，全控型02IGBT结构是场效应管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）的产物,具有栅极G、集电极C、和发射极E的三个引出端。电气图形符号ICOUUGE(th)GE03IGBT基本特性2、IGBT的基本特性（1）静态特性转移特性：——集电极电流IC与栅射控制电压UGE之间的关系当栅射电压UGEUGE(th)时，IGBT处于关断状态。当栅射电压UGEUGE(th)时，IGBT导通。IGBT的转移特性ICOUUGE(th)GE03IGBT基本特性2、IGBT的基本特性（1）静态特性IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与UGE呈线性关系。开启电压UGE(th)是实现电导调制而导通的最低栅射电压，随温度升高而略有下降。IGBT的转移特性图IGBT的转移特性I有源区C饱和区U增加GEUGE(th)正向阻断区U反向阻断区RMOUUFMCEb)03IGBT基本特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。2、IGBT的基本特性（1）静态特性输出特性——即伏安特性：以栅射电压UGE为参变量时，集电极电流IC和集射电压UCE之间的关系曲线。IGBT的转移特性图IGBT的转移特性IGBT的输出特性I有源区C饱和区U增加GEUGE(th)正向阻断区U反向阻断区RMOUUFMCE03IGBT基本特性2、IGBT的基本特性（1）静态特性UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。如果工作在有源区较大损耗情况下，IGBT会因承受不了高温而击穿。图IGBT的输出特性时段IIIIIIIVVVI共阴极组中导通的晶闸管VT1VT1VT3VT3VT5VT5共阳极组中导通的晶闸管VT6VT2VT2VT4VT4VT6整流输出电压udua-ub=uabua-uc=uacub-uc=ubcub-ua=ubauc-ua=ucauc-ub=ucb03a=0?电阻负载晶闸管及输出整流电压的情况如表所示三相桥式全控整流电路uuuua=0°abc2ud1wtwOt1ud2ⅠⅡⅢⅣⅤⅥuuuuuuuuu2LabacbcbacacbabacudwOtiVT1wOtuuuuuuuuuabacbcbacacbabacVT1wOt531uuabac62403a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的波形ud1为正半周包络线ud2为负半周包络线三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（1）2管同时通形成供电回路，其中共阴极组和共阳极组各1，且不能为同一相器件。三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（2）对触发脉冲的要求a)按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差60?。三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（2）对触发脉冲的要求b)共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120?，共阳极组VT4、VT6、VT2也依次差120?。三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（2）对触发脉冲的要求c)同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6，VT5与VT2，脉冲相差180?。三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（3）ud一周期脉动6次，每次脉动的波形都一样，故该电路为6脉波整流电路。三相桥式全控整流电路uuuubcua2a135w0t624uduuuuuuuabacbcbacacbabw0tug5335111w0t2244666ugw0t03a=0?电阻负载电阻负载a=0?时的特点（4）需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲，可采用两种方法：一种是宽脉冲触发缺点：宽度60°，门极作