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本发明公开了一种硅基OLED阳极结构的制备方法,包括以下步骤:S1、在CMOS基板上镀一层阳极膜层;S2、通过光罩刻蚀出阳极结构;S3、通过一次性ITO成膜形成ITO导电膜层,再通过刻蚀形成B、G和R不同高度的ITO。该硅基OLED阳极结构的制备方法设计合理,通过一次性ITO成膜及多次刻蚀完成腔阳极结构,工艺流程简单,成膜及刻蚀次数少,减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失;另外可以极大提高设备产能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102834A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410187711.8
(22)申请日2024.02.20
(71)申请人安徽熙泰智能科技有限公司
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