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本发明涉及一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有In组分阶梯式变化的p‑InGaN栅极结构层。本发明将In组分阶梯式变化的材料应用于栅极结构，提高了栅下能带，降低了栅下二维电子气（2DEG）浓度，提高了器件的阈值电压，增强了器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099207A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410508307.6
(22)申请日2024.04.26
(71)申请人山东大学
地址250100
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