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2024-05-29 发布于四川
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一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器.pdf

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本发明涉及一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器，包括：衬底、埋入氧化层、波导层、辅助键合层、间隔层、包层、量子阱有源区、顶包覆层、欧姆接触层、P型电极、N型电极；波导层中沿谐振腔的腔长方向刻蚀有切趾光栅；本发明通过切趾光栅的设计，激光器腔两端光子密度具有不对称性，输出光功率及利用效率明显提升，在保证稳定单模输出的同时，有效解决λ/4相移激光器出光功率/效率低的问题。与λ/4相移激光器相比，本发明基于切趾光栅的谐振腔具有更加平缓的腔内光场分布，从而解决λ/4相移激光器的空间烧孔的影响，得到更好

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115021073A

(43)申请公布日2022.09.06

(21)申请号202210486992.8

(22)申请日2022.05.06

(71)申请人山东大学

地址250199山

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