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本申请涉及半导体技术领域，公开一种谐振结构，包括：压电层；上电极层，设置在压电层的一面；下电极层，设置在压电层的另一面；隔离环，将压电层处于有效工作区域的部分包围；有效工作区域为第一投影和第二投影的交叠区域；第一投影为上电极层在压电层上的正投影，第二投影为下电极层在压电层上的正投影；隔离环至少一端凸出于压电层的表面；隔离环位于上电极层和下电极层之间。该谐振结构能够提升声学谐振器的品质因数，且制作更加方便。本申请还公开了一种声学谐振器和声学滤波器。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118100855A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410465825.4
(22)申请日2024.04.18
(71)申请人深圳新声半导体有
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