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一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法.pdfVIP

一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法.pdf

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    本发明公开了一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法，涉及隧穿磁电阻领域，包括在放置的晶圆衬底片表面完成磁隧道结多层膜堆结构生长后继续进行硬掩模生长，以此增强整体磁阻结构稳定性，避免发生钨塞损伤或膜堆翘起，硬掩模生长完成后进行退火处理，过程中对于退火条件选取，仅需依照对磁阻功能稳定性进行考虑，由于未对退火温度和退火时间进行降低调整，使MTJ制备过程处于稳定状态，性能未受负向影响，且仅改变退火作业顺序，对后制程进行性问题影响性较小，具备可实施性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113571634A

    (43)申请公布日2021.10.29

    (21)申请号202110719982.X

    (22)申请日2021.06.28

    (71)申请人北京超弦存储器研究院

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