红外探测元器件及其制造方法、半导体器件.pdfVIP

红外探测元器件及其制造方法、半导体器件.pdf

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本发明实施例提供一种红外探测元器件及其制造方法、半导体器件,属于红外元器件技术领域。所述制造方法包括:在第一衬底上生长热敏电阻膜,并制备第一层热敏电阻膜结构;采用化学气象沉积,在所述第一层热敏电阻膜结构上,制备第二衬底;在所述第二衬底上生长热敏电阻膜,并制备第二层热敏电阻膜结构;以及连接所述第一层热敏电阻膜结构和所述第二层热敏电阻膜结构,形成叠层热敏电阻膜结构。叠层热敏电阻膜结构具有相通的衬底条件,同时具有相同的氧化钒成膜条件,上下的叠层热敏电阻膜结构可以节省平面上的面积空间,与非叠层的热敏电阻

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099276A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410092460.5

(22)申请日2024.01.23

(71)申请人北京安酷智芯科技有限公司

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