一种宽pH范围的4H-SiC光电化学型紫外光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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一种宽pH范围的4H-SiC光电化学型紫外光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明公开了一种宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器，其包括自支撑电极，所述自支撑电极包括单晶集成自支撑SiC纳米孔阵列、阵列底部未蚀刻的单晶层；在施加偏置电压、紫外光作用时，所述4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器的光电流随电解液pH的增加而增大；在无偏置电压，施加紫外光时，所述4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器的光电流随电解液pH的增加而增大。本发明还公开了一种宽pH范围的4H‑S

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118089936A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410097607.X

(22)申请日2024.01.24

(71)申请人宁波工程学院

地址315000

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