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本发明公开了一种用于光学元件的掺铒钇铝石榴石晶体的生产方法及一种光学元件的制备方法,属于光学元件的制备,包括以下步骤:S1:原料处理,包括以下步骤:S2:形成掺铒钇铝石榴石晶体,包括以下步骤:S21:将S1处理后的料装入钼坩埚,装入真空电阻加热炉;S22:装炉后封闭炉门,使用真空泵扩散泵将炉内空气抽出,使其达到真空;S23:将炉内充入氩气和二氧化碳;S24:启动电源进行加热至1200‑1800℃;S25:控制籽晶位置至溶液表面;S26:开始拉晶,拉速1‑10mm/h,转速50‑200rpm;S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118087043A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410459886.X
(22)申请日2024.04.17
(71)申请人成都沃达惠康科技股份有限公司
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