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本发明公开了一种SDM控制器的EDR事件存储方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括在Flash芯片上构建两个存储区且每个存储区至少包括三块记录块,一个存储区用于存储锁定数据,另一个存储区用于存储非锁定数据;将EDR待记录的数据存储至一循环记录队列中;产生EDR触发事件,遍历所有缓存通道找空闲的缓存通道;计算当前时刻和启动记录时刻的时间差;根据时间差,将循环记录队列中对应的数据搬运至缓存通道内;基于EDR触发事件,将缓存通道内的数据写入对应存储区内的空闲记录块。本发明把FLASH芯片划分出了非锁
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118093453A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202311846861.7
(22)申请日2023.12.28
(66)本国优先权数据
202311470021.5
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