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双面共面波导芯片式同轴热敏电阻式功率座,包括依次连接的射频信号接收单元、射频信号处理单元和电信号输出单元;射频信号接收单元接收微波信号,并将微波信号输出至射频信号处理单元进行处理;射频信号处理单元包括核心热敏电阻负载座和电路板;核心热敏电阻负载座包括金属腔体和同轴波导过渡结构,同轴波导过渡结构包括用于调整双面共面波导芯片位置的弹性连接件;双面共面波导芯片对微波信号进行处理后,通过电路板转换为电信号输出;电信号输出单元接收射频信号处理单元输出的电信号并输出数值。本发明可实现最大频率达110GHz以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118101095A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410487946.9
(22)申请日2024.04.23
(71)申请人北京中玮科技有限公司
地址10
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