1.第一章--绪论多晶硅工艺.ppt

6、修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。7、装框：类似与给玻璃装一个镜框；给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。8、焊接接线盒：在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。9、高压测试：高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件（雷击等）下不被损坏。10、组件测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。THANKS公司微信公众号改良西门子法介绍改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购HCl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。改良西门子法生产多晶硅属于高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。SiHCl3还原时一般不生产硅粉，有利于连续操作。该法制备的多晶硅还具有价格比较低、可同时满足直拉和区熔要求的优点。因此是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产SOG硅与EG硅，所生产的多晶硅占当今世界总产量的70～80%。改良西门子法介绍改良西门子法的工艺流程改良西门子法在多晶硅生产当中是一种非常成熟的方法，国内大部分厂家都在采用此种方法生产多晶硅。改良西门子法大体可分为6个工序：即合成、提纯、还原、尾气回收、氢化和后处理。合成工序是在流化床反应器中用纯度约99%的金属硅(工业硅)与HCI反应生成SiHC13(三氯氢硅)。提纯工序采用多级分馏塔对三氯氢硅进行精制，除去SiC14及硼、磷等有害杂质。还原工序是在化学蒸发沉积反应器(还原炉)内加氢还原三氯氢硅，先在还原炉中预先放置初始硅芯，利用特别的启动装置来对初棒进行预热，然后对初棒直接通电加热，三氯氢硅还原后在初棒上沉积出多晶硅棒。改良西门子法的工艺流程尾气回收工序对来自还原炉、氢化炉、合成洗涤塔顶冷却器的三氯氢硅、四氯化硅、氢气和氯化氢等进行分离、净化、再生和回收。氢化工序是在高压反应器内把SiCl4转化为三氯氢硅再返回还原炉循环利用。后处理工序对最终多晶硅产品进行破碎、净化、包装。改良西门子法的工艺流程该工艺涉及的主要化学反应式如下：Si+3HCI=SiHC13+H2+Q合成SiHC13+H2=Si+3HC1-Q还原理论上，H2及HCI是可以平衡的。改良西门子法的特点是加强尾气的干法回收，对尾气进行加压多级冷凝分离处理。分离出来的三氯氢硅、氯化氢、氢气返回系统利用，分离出来的四氯化硅加氢反应转化成三氯氢硅后返回还原炉。这样可以使HCI和H2得到循环使用，HCI和H2则只需补充生产中的损耗量即可，从而大大降低物料消耗，并可将“三废”量减少到最低程度。改良西门子法的工艺流程改良西门子法中的核心技术A、大型多对棒节能型还原炉。为了达到节能降耗的目的，多晶硅还原炉必须大型化。大型节能还原炉的特点是炉内可同时加热许多根初棒，以减少炉壁辐射所造成的热损失;还原炉的内壁进行镜面处理，使辐射热能反射，以减少热损失;炉内压力和供气量得到提高，加大了硅沉积反应的速度。目前，国外大型还原炉的操作压力达0.6MPa,硅棒的总数主要是12和24对，部分已经达到48对和54对，硅棒长度在1.5米以上，棒直径达到200毫米，每炉产量可达5-6吨甚至10多吨，还原电耗则大幅度下降，低至每公斤多晶硅50kWh。B、四氯化硅的氢化反应技术。用西门子法生产多晶硅时在氯化工序和还原工序都要产生大量的副产物四氯化硅。一般每生产1公斤多晶硅产品，大约要产生18-20公斤四氯化硅。对四氯化硅必须进行处理，目前主要采用氢化技术，将四氯化硅转化成多晶硅生产的原料三氯氢硅，该方法可以充分利用资源，缺点是转化率较低使多晶硅生产成本和电耗升高。改良西门子法中的核心技术改良西门子法中的核心技术C、还原尾气的干法回收技术。在还原生长多晶硅时，会产生还原尾气。如果将尾气放空排放，不仅浪费了能源和原材料，还会对环境造成污染。还原炉尾气的主要成分是氢、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅，经过加压和冷却后，其中的三氯氢硅和四氯化硅被冷凝分离出来，然后再分馏出三氯氢硅直接送到还原炉，以生产多晶硅。分馏出的四氯化硅则送到氢化工序，经氢化后，部分转化成三氯氢硅，氢化后的气体再经分离塔分离出三氯氢硅和四氯化