In2O3纳米材料的形貌控制合成及气敏性能研究.docx

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In2O3纳米材料的形貌控制合成及气敏性能研究

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In2O3纳米材料的形貌控制合成及气敏性能研究

摘要:科技的发达产生很多的污染物导致人们对高灵敏度气体传感器的使用要求不断上升,越来越多的研究学者开始对不同纳米材料气体传感器的气敏性能进行研究,氧化铟纳米材料因其灵敏度高、稳定性好、成本低等特点在气体传感器领域得到了广泛的关注。本论文通过改变铟源和表面活性剂的含量制备不同形貌的氧化铟纳米材料,并对其进行气敏响应能力的研究。研究发现:

以氯化铟为铟源时,形貌是出一个个较圆的

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