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1.5低频电子电路的学习分析方法的选取往往与电路目标和分析误差要求有直接的关系，同时单元电路的技术分析又涉及信号与系统等课程的内容。第1章半导体基础元件与非线性电路注意掌握各种功能电路的基本原理及分析方法，注重养成工程现实和理想相结合的观察问题习惯。以便理解各种实用的电路构成方法和原则，以及电路的组合和繁衍改进过程。注意培养自己以系统的观点来理解功能单元电路的构成，以及元器件与系统需求之间的关系，从而初步建立用系统的观点来思考问题、解决问题的基本技巧和思路。《低频电子电路》何丰----------人民邮电出版社21世纪高等院校信息与通信工程规划教材普通高等教育“十一五”国家级规划教材第三章半导体受控器件的分析因半导体PN结的复杂性，导致非线性导电具有区域特性，区域特性是分析的关键点。---------具体包含：区域条件区域模型与表达方式《低频电子电路》总论：3.4应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取3.2非线性受控器件的求解分析与应用3.1非线性半导体元器件的分析概述第三章半导体受控器件的分析回顾第一章分析具体方法大范围锁定工作点3.3直流工作点分析《低频电子电路》1.明确非线性元器件工作区域2.明确非线性元器件是否需要工作点平台第三章半导体受控器件的分析3.1非线性半导体元器件的分析概述3.1非线性半导体元器件的分析概述回顾第一章例题1.3.2或门电路（二极管上电压在大范围的内确定)第三章半导体受控器件的分析回顾第一章例题1.4.3全波整流电路（二极管上电压在大范围内变化)第三章半导体受控器件的分析回顾第一章例题1.3.2电位平移电路（二极管上电压在导通区内的较小范围变化)工作点第三章半导体受控器件的分析.要点：输出应属高低电位情况，即是在非线性大范围内求点。具体步骤：分别以两种输入电平出发来分析。3.2非线性受控电流器件的求解分析3.2.1晶体管非门基础电路第三章半导体受控器件的分析已知：输入只有5V和0V两种情况。要点：发射结反偏，集电结反偏。---管子截止，输出高电位5V。要点：管子导通（放大、饱和或击穿）---电阻参数合理情况下，管子可以处于饱和，输出低电位(约等于0V)。3.2.1晶体管非门基础电路第三章半导体受控器件的分析要点：管子导通（放大、饱和）。第三章半导体受控器件的分析在电阻或较大情况下，管子均可以处于饱和状态，输出低电位约等于0V。管子处于放大区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。3.2.2晶体管微变等效电路分析法及条件第三章半导体受控器件的分析说明如下：第三章半导体受控器件的分析放大情况-小信号基础电路模型（1）输入与二极管相似（2）输出受的控制按结构精细化模型发射极E基极BPNN+集电极C发射结集电结第三章半导体受控器件的分析参数的数学表达第三章半导体受控器件的分析（1）其中，（1）参数的为放大情况下的发射结交流小信号等效电阻；（2）低频晶体管为200?300?，高频晶体管约几十欧姆。第三章半导体受控器件的分析（2）参数的数学表达放大倍数与跨导的关系第三章半导体受控器件的分析（3）参数的数学表达即：条件：管子处于饱和区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。3.2.3场效应管微变等效电路第三章半导体受控器件的分析电路模型第三章半导体受控器件的分析注：各种场效应管的小信号特性相同。饱和时，输入电阻极大场效应管衬底（或背栅）跨导第三章半导体受控器件的分析参数的数学表达（2）（3）（4）（1）按结构精细化小信号模型说明第三章半导体受控器件的分析要点：直流电源作用下的计算问题。具体步骤：（1）直流通路3.3直流工作点分析3.3.1工作点的建立及近似计算（2）近似计算法或作图法的选择第三章半导体受控器件的分析具体步骤：（1）画出直流通路（c）,其中E03.3.1工作点的建立及近似计算（2）近似计算法或作图法的选择双电源供电方案