智力竞赛抢答器电路设计.doc

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标题智能竞赛抢答器电路设计主要内容武汉理工大学《专业课程设计2》课程设计说明书技术指标1技术指标采用74LS175为主要芯片,D触发器集成芯片2设计方案及其比较采用74LS192为主要芯片设计的四位抢答器22方案一该方案采用了74LS175为主要芯片,D触发器集成芯片芯片的主要功能是实现四组抢答器的逻辑操作,包括人机交互以及设备故障处理在模拟情况下,主芯片能够保持在所有状态下,并且在出现故障时能立即切换回主芯片,保证系统稳定运行23

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武汉理工大学《专业课程设计(2)》课程设计说明书

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目录

TOC\o1-2\h\u38601技术指标 1

260622设计方案及其比较 1

248692.1方案一 1

206582.2方案二 3

56442.3方案三 4

281592.4方案比较 6

128763实现方案 6

297964调试过程及结论 8

263225心得体会 10

297806参考文献 10

智力竞赛抢答器电路设计

1技术指标

设计一个四组抢答器,有人抢答时,蜂鸣器发声,同时优先抢答者对应的指示灯亮,而后抢答者对应的指示灯不亮。主持人具有将抢答器复原的功能。

2设计方案及其比较

2.1方案一

采用74LS175为主要芯片

74LS175为四位D触发器集成芯片,其管脚图如下。

图174LS引脚图

其中,CLR是异步清零控制端,低电平有效。D1~D4是并行数据输入端,Q1~Q4是并行数据输出端,/Q1~/Q4是Q1~Q4的反码数据输出端(用/Q1代表Q1的非)。CLK为时钟脉冲脉冲输入端,其功能表如下

清零

时钟

输入

输出

工作模式

CLK

1D

2D

3D

4D

1Q

2Q

3Q

4Q

0

×

×

×

×

×

0

0

0

0

异步清零

1

1D

2D

3D

4D

1D

2D

3D

4D

数码寄存

1

1

×

×

×

×

保持

数据保持

1

0

×

×

×

×

保持

数据保持

表174LS175功能表

由功能表可知,当CLK端有一上升沿时,输入(D1~D4)被锁存到输出端(Q1~Q4)。而当CLK为其他状态时,芯片保持所存的数据。

整体电路如下:

图2由74LS175为主要芯片设计的四位抢答器

2.2方案二

采用74LS192为主芯片的设计方案

74LS192是同步可逆双时钟计数器,具有“异步清零”和“异步置数”功能。其引脚图如下图所示。

图374LS192引脚图

其中,D0~D3为数据输入端,Q0~Q3为数据输出端,R为清零端,/LD为置数端,CP+为加计数端,CP-为减计数端,/CO进位输出端,/BO为借位输出端,。其功能表如下图所示。

输入

输出

RCP+CP-D0D1D2D3

Q0Q1Q2Q3

1XXXXXXX

00XXI0I1I2I3

01↑1XXXX

011↑XXXX

0111XXXX

0000

I0I1I2I3

加计数

减计数

保持

表274LS192功能表

本次设计只采用其置数,清零,保持的三项功能,不需计数功能。其工作原理为:接通电源后,将CP+始终置于高电平,按下清零按键S0,此开关可作为裁判开关。Q0~Q3输出低电平,与之相连接的四个LED不亮。以Q0~Q3作为输入的或门输出为低电平,则蜂鸣器不响,CP-和/LD均为低电平。开始抢答时,开关S0置于高电平时。若此时开关S1置于高电平(即1号选手进行抢答),Q1被送入高电平,对应的灯被点亮,或门的输出将由低变成高电平,蜂鸣器响。同时CP-和/LD均为高电平,此时芯片处于数据保持状态,输入被锁定,若此时有其他选手按下开关,则对应的灯不亮,蜂鸣器不响,达到了阻止其他选手的抢答的目的。裁判可使用开关S0进行清零,从而进入下一轮比赛。

整体电路如下所示

图4以74LS192为主要芯片的四位抢答器

2.3方案三

采用CC4042为主要芯片

CC4042为四位D锁存器集成芯片,其管脚图如下图所示。

图5CC4042引脚图

其中D1~D4是数据输入端,CP为时钟信号输入端,M为时钟方式控制端,Q1~Q4是并行数据输出端,/Q1~/Q4是Q1~Q4的反码数据输出端。芯片正常工作时,接电源,接地,其功能表如下

CP

M

D

Q

L

L

D

D

L

×

锁存

H

H

D

D

H

×

锁存

表3CC4042功能表

工作原理:接通电源后,开关S0打向低电平,此开关可作为裁判开关,经过与门作用使CP处于低电平。开始抢答时,将S0置于高电平。此时,若开关S1置于高电平(即1号选手进行抢答)则对应得LED被点亮。同时/Q1变为低电平,与非门的输出将由低变成高电平,蜂鸣器响。同时与非门的输出再经过与门使得CP变为高电平

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