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磷化锢(InP)项目
规划设计方案
摘要
磷化锢(InP)是重要的in-V族化合物半导体材料之一,是继硅
(Si)、碑化(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其因电
子迁移率高、禁带宽度大等特点,被广泛应用于微波及光电器件领域。
该磷化锢(InP)项目计划总投资17406.17万元
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