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低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究

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2024-01-28

contents

目录

引言

实验材料与方法

BIT掺杂NiCoZn铁氧体的制备与表征

高频EMI抑制性能研究

结果与讨论

结论与展望

01

引言

低温烧结技术

降低铁氧体烧结温度,节约能源,减少环境污染。

BIT掺杂

通过Bi、Ti等元素掺杂改善NiCoZn铁氧体性能,拓宽应用领域。

高频EMI抑制性能

研究铁氧体在高频段的电磁干扰(EMI)抑制效果,满足电子设备发展需求。

国内对低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体的研究逐渐增多,但高性能产品仍依赖进口。

国内研究现状

国外在低温烧结技术、掺杂改性等方面取得一定成果,但存在技术封锁和知识产权问题。

国外研究现状

低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体将向高性能、低成本、环保型方向发展。

发展趋势

研究BIT掺杂量、烧结温度对NiCoZn铁氧体微观结构、磁性能和高频EMI抑制性能的影响规律;优化制备工艺,提高产品性能。

主要内容

采用独特的BIT掺杂方式和低温烧结技术,制备出高性能NiCoZn铁氧体;系统研究高频EMI抑制性能,为实际应用提供理论支持。

创新点

02

实验材料与方法

1

2

3

具有高磁导率、低磁损耗等优良特性,是制备高频EMI抑制材料的理想选择。

NiCoZn铁氧体粉末

采用适量的BIT作为掺杂剂,可有效改善NiCoZn铁氧体的烧结性能和磁性能。

BIT掺杂剂

用于将粉末混合均匀并制备成所需形状的生坯。

有机粘结剂

用于将NiCoZn铁氧体粉末和BIT掺杂剂充分混合均匀。

用于将混合后的粉末压制成所需形状的生坯。

用于在低温下对生坯进行烧结,得到致密的铁氧体材料。

用于测试材料的电磁参数,如磁导率、介电常数等。

球磨机

压片机

烧结炉

矢量网络分析仪

1.将NiCoZn铁氧体粉末和BIT掺杂剂按一定比例混合,并加入适量的有机粘结剂。

01

2.将混合后的粉末放入球磨机中充分研磨,使各组分均匀分布。

02

3.将研磨后的粉末放入压片机中,压制成所需形状的生坯。

03

4.将生坯放入烧结炉中,在低温下进行烧结,得到致密的铁氧体材料。

04

5.使用矢量网络分析仪测试材料的电磁参数,评估其高频EMI抑制性能。

05

03

BIT掺杂NiCoZn铁氧体的制备与表征

球磨混合

将原料放入球磨机中,加入适量的无水乙醇作为球磨介质,进行长时间的球磨混合,以获得均匀的混合物。

原料准备

选用高纯度的NiO、CoO、ZnO和BIT(Bi2O3-TiO2)作为原料,按照化学计量比进行称量。

干燥与过筛

将球磨后的混合物放入干燥箱中干燥,然后进行过筛,以去除其中的大颗粒和杂质。

烧结处理

将生坯放入高温炉中进行烧结处理,控制烧结温度和时间,以获得致密的BIT掺杂NiCoZn铁氧体。

压片成型

将过筛后的混合物放入模具中,施加一定的压力进行压片成型,得到所需的生坯。

03

EDS分析

通过能谱仪对BIT掺杂NiCoZn铁氧体进行元素分析,确定各元素的含量和分布。

01

XRD分析

通过X射线衍射仪对BIT掺杂NiCoZn铁氧体进行物相分析,确定其晶体结构和相组成。

02

SEM观察

利用扫描电子显微镜观察BIT掺杂NiCoZn铁氧体的表面形貌和微观结构。

利用振动样品磁强计测量BIT掺杂NiCoZn铁氧体的磁滞回线,分析其饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力等磁性能参数。

磁滞回线测量

在不同频率下测量BIT掺杂NiCoZn铁氧体的磁导率和磁损耗,分析其频率特性。

频率特性分析

在不同温度下测量BIT掺杂NiCoZn铁氧体的磁性能,分析其温度稳定性和居里温度等参数。

温度特性分析

04

高频EMI抑制性能研究

频谱分析仪法

利用频谱分析仪直接测量样品在不同频率下的EMI抑制性能,可以得到直观的频率响应曲线。

时域反射计法

通过时域反射计测量样品的反射系数和传输系数,进一步分析得到高频EMI抑制性能。

矢量网络分析仪法

通过矢量网络分析仪测试样品的S参数,进而计算得到其插入损耗等高频EMI抑制性能指标。

BIT掺杂可以改善NiCoZn铁氧体的阻抗匹配特性,使其在高频段具有更好的EMI抑制效果。

提高阻抗匹配

拓宽吸收频带

增强磁导率

适量BIT掺杂可以拓宽NiCoZn铁氧体的吸收频带,提高对宽频带EMI信号的抑制能力。

BIT掺杂可以提高NiCoZn铁氧体的磁导率,从而增强其对EMI信号的衰减能力。

晶体结构变化

BIT掺杂会导致NiCoZn铁氧体的晶体结构发生变化,进而影响其电磁性能。适量掺杂有助于优化晶体结构,提高EMI抑制性能。

磁畴动态行为

BIT掺杂会影响NiCoZn铁氧体中磁畴的动态行为,如磁畴旋转、畴壁移动等。这些动态行为的变化会对高频EMI抑制性能产生影响。

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