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《材料科学基础》

填空题

第一章材料结构基本知识

1. 原子核外电子分布及四个量子数有关，且服从下述两个基本原理：泡利不相容原理和最低能量原理

2.原子结合键中一次键（强健）有离子键、共价键、金属键；二次键（弱健）有范德瓦尔斯键、氢键、离子晶体和原子晶体硬度高，脆性大，熔点高、导电性差。

3.金属晶体导电性、导热性、延展性好，熔点较高。

4. 能量最低结构称为稳态结构或平衡态结构，能量相对较高结构则称为亚稳态结构；

5. 材料稳态结构及亚稳态结构由热力学条件和动力学条件共同决定；

第二章材料晶体结构

1、晶体结构中基元就是化学组成相同、空间结构相同、排列取向相同、周围环境相同基本单元;

2、简单立方晶胞中（100）、（110）、（111）晶面中，面间距最小是（111）面，最大是（100）面；

3、晶面族{100}包含（100）（010）（001）及平行（100）（010）（001）等晶面；

4、（100），（210），（110），（2ī0）等构成以[001]为晶带轴晶带；

（01ī），（0ī1），（10ī），（1ī0）等构成以[111]为晶带轴晶带；

5、晶体宏观对称元素只有1，2，3，4，6，1，m，4 等8种是基本

6、金属中常见晶体结构有面心立方、体心立方、密排六方三种；

7、金属密堆积结构中间隙有四面体间隙和八面体间隙两种类型

8、面心立方晶体中１个晶胞内有４个八面体间隙，８个四面体间隙。

9、陶瓷材料是以离子键、共价键以及离子键和共价键混合键结合在一起；

10、硅酸盐基本结构单元是硅酸根四面体；

11、SiO2中主要化学键为 共价键 及 离子键 ；

12、硅酸盐几种主要结构单元是岛状结构单元、双四面体结构单元、环状结构单元以及链状结构单元、层状结构单元；

13、离子晶体中决定正负离子堆积方式两因数是：电荷大小，满足电中性；正负离子相对大小；

14、陶瓷材料组成相有玻璃相、气相和结晶相

15、上图为离子晶体中稳定和不稳定配位图形，图 为不稳定配位图形

第三章高分子材料结构

1. 1.按照聚合物热行为可将聚合物分为_热固性塑料_和 热塑性塑料 两类。

、尼龙-6 -HN(CH)5CO- 。2.写出下列聚合物结构单元：聚乙烯–CH2CH2- 、聚氯乙

、尼龙-6 -HN(CH)5CO- 。

3.加聚反应是指由 由一种或多种单体相互加成 而连接成聚合物反应。

4.高分子材料结构主要包括两个微观层次即_高分子链结构 结构和 高分子聚集态结构 结构。

5.高分子主链中含有氧原子能提高高分子 弹性 ;磷和氯原子能提高 耐热性;氟原子能提高

化学稳定性。

6.从分子链结构看，聚氯乙烯链柔顺性比聚丙烯链柔顺性_差 ，比聚丙烯腈链柔顺性 好 ，这是因为 分子链上取代基极性不同 而造成。

7.一般缩聚物高分子主链上不存在不对称碳原子，因此主链结构比较规整，结晶度_高。

8．ABS树脂是由苯乙烯、丁二烯 和 丙烯腈 三者共聚而得。

9.一些高分子材料在Tg温度附近冷拉，可以使其强度和弹性模量提高 。

第四章晶体缺陷

1. 晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷；

2. 肖脱基缺陷是离位原子进入其它空位或迁移至晶界或表面形成点缺陷

3. 弗兰克尔缺陷是离位原子进入晶体间隙形成点缺陷

4. 位错可分为刃位错、螺位错和混合型位错;

5. 具有环形位错线位错不可能是纯螺位错

6. 当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低

7. 根据螺旋面前进方向及螺旋面旋转方向关系可分为左、右螺型位错

8. 位错在晶体中运动有两种方式——滑移和攀移；

9. 不论是刃或螺型位错，使位错滑移切应力方向和柏氏矢量b都是一致；

10.滑移面两侧晶体相对位移是及柏氏矢量b相一致。

11.刃型位错位错线t⊥b，滑移面是唯一，位错只能在确定面上滑移

12.螺位错位错线t∥b，任何通过位错线晶面都满足滑移面条件，可以有多个滑移面。

13.攀移正是通过原子扩散而实现，攀移需要正应力，滑移需要切应力；

14.表面张力在数值上等于表面能

15.两根同号螺位错互相排斥,随距离增加而逐渐减小；

16.两根异号螺型位错之间相互吸引，直至异号位错互毁，此时位错应变能也就完全消失；

17.晶体中还可能形成一些柏氏矢量小于点阵矢量位错，即柏氏矢量不是从一个原子到另一个原子位置，而是从原子位置到结点之间某一位置，这类位错称为分位错或不全位错。

18.对于小角度晶界，晶界能随位向差增大而提高；

19.晶体表面结构主