2024年墨西哥磁阻随机存储器（MRAM）市场机会及渠道调研报告.docx

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2024年墨西哥磁阻随机存储器（MRAM）市场机会及渠道调研报告

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2024年墨西哥磁阻随机存储器（MRAM）市场机会及渠道调研报告

2024年墨西哥磁阻随机存储器（MRAM）市场机会及渠道调研报告

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报告摘要

墨西哥国家地理统计局必威体育精装版数据显示，墨西哥2023年国内生产总值增长3.2%。其中，墨西哥工业生产增长3.5%，建筑业领域表现突出，增长15.6%；农牧业增长1.9%；服务业增长3.1%。2021年墨西哥、中国人均GDP录得1.04万美元、1.26万美元，首次被中国超过。随着海外企业投资热潮再起，墨西哥进入“再工业化”进程。墨西哥目前已和50余个国家签署贸易协定，为进出口、投资、技术转移创造了良好的宏观环境。目前，墨西哥出口增长强劲。据世界贸易组织和墨西哥国家统计和地理研究所日前发布的数据，2023年墨西哥出口额达5930.12亿美元，年增长率为2.6%，全球排名较2022年上升4位，超越俄罗斯、加拿大等国成为世界第九大产品出口国，创历史新高，外贸总额占GDP的83.1%，其中制造业出口在总出口中比重保持达到76.83%。墨西哥经济部发布的数据显示，2023年墨西哥外国直接投资额达到360.58亿美元，同比增长2.2%，创历史新高。其中，50%的投资集中在制造业，包括交通运输设备制造业、金属工业、电子产品制造业、化学工业等。其余投资主要流向采矿、金融和服务等领域。在贸易领域保护主义和单边主义盛行的全球背景下，墨西哥在这一轮全球产业转移进程中备受外资青睐，外商投资墨西哥可以利用本地廉价劳动力以及毗邻美国的地理优势，以最优惠关税出口至北美或其他地区，降低国际关系变化所产生的影响。

本研究项目旨在深度挖掘墨西哥市场磁阻随机存储器（MRAM）的增长潜力与发展机会，分析墨西哥市场竞争态势、销售模式、客户偏好、整体市场营商环境，为国内企业出海开展业务提供客观参考意见。

据QYResearch必威体育精装版调研，2023年全球磁阻随机存储器（MRAM）市场销售收入达到了亿元，预计2030年可以达到亿元，未来几年年复合增长率(CAGR)为。

墨西哥市场而言，预计2024-2030期间年复合增长率(CAGR)为xx%，高于全球的xx%，2030年墨西哥市场市场规模将达到xx亿元。

磁阻随机存储器（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，缩写为MRAM），是一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。与传统的RAM芯片技术不同，MRAM中的数据不作为电荷或电流流动存储，而是由磁存储元件存储。这些元件由两个铁磁性板形成，每个铁磁板可以保持由薄的绝缘层分开的磁化。两个板之一是设置为特定极性的永磁体；另一个板的磁化可以改变以匹配外部磁场的磁化来存储存储器。这种配置被称为磁性隧道结，是MRAM位的最简单的结构。存储设备由这样的“单元”的网格构建。全球磁阻随机存储器（MRAM）的核心厂商包括EverspinTechnologies，AvalancheTechnology和Honeywell等，前三大厂商约占有全球47%的份额。北美是全球最大的市场，占有大约75%的市场份额，之后是欧洲和亚太，分别占比15%和5%。

本文重点关注墨西哥市场主要的国外及墨西哥本土企业，分析墨西哥市场总体竞争格局、目前现状及未来趋势。

本文核心内容：

市场空间：全球磁阻随机存储器（MRAM）行业市场空间、墨西哥市场发展空间。

竞争态势：全球磁阻随机存储器（MRAM）份额，墨西哥市场企业份额。

销售模式：墨西哥市场销售模式、本地代理商

客户情况：墨西哥本地客户及偏好分析

营商环境：墨西哥营商环境分析

本文纳入的企业包括国外及墨西哥本土磁阻随机存储器（MRAM）企业，以及相关上下游企业等，部分名单如下：

EverspinTechnologies

AvalancheTechnology

Honeywell

Renesas

CrocusNanoElectronics

SamsungElectronics

Cobham

NVECorporation

本文正文共7章，各章节主要内容如下：

第1章：磁阻随机存储器（MRAM）定义、市场规模及发展概况等

第2章：墨西哥营商环境分析

第3章：行业竞争格局及竞争对手分析

第4章：磁阻随机存储器