半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 充电模型（CDM） 器件级 编制说明.docx

《半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型（CDM）

器件级》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型（CDM）器件级》标准制定是2023年12月28日下达的国家标准计划项目，计划代号T-339。由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位为中电国基北方有限公司,副主编单位为河北北芯半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、天津大学、吉林华微电子股份有限公司、吉林麦吉柯半导体有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、吉林江机特种工业有限公司、江苏长晶科技股份有限公司。项目周期：16个月。

2、制定背景

静电损伤已成为影响半导体器件可靠性的重要因素之一，静电放电（ESD）的损伤90%属于隐性损伤，很难通过技术手段发现。且随着电子产品的广泛使用，由静电放电（ESD）导致的半导体器件的损坏事件也与日俱增。

最初半导体器件的静电放电（ESD）采用人体放电模型（HBM），随着自动化器件处理系统的广泛使用，另一种潜在破坏性放电机制，带电器件模型（CDM）对半导体器件造成的危害越来越普遍，因此采用带电模型（CDM）分析静电损伤也逐渐发展起来。

本标准针对半导体器件的带电模型（CDM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化，确立一种复现CDM失效试验方法，建立半导体器件CDMESD测试和分级的标准程序。这将对评价和考核半导体器件的质量和可靠性有重要作用，促进半导体产业的转型升级，对于半导体产业的长期发展具有重要意义。

3、工作过程

3.12024.01～2024.02牵头单位广泛征集参编单位，成立了编制组。编制组成员包括检验试验管理人员、长期从事静电放电敏感度测试的技术研究人

员和试验成员，以及具有多年国标编制经验的标准化专家。编制组成员明确了职责和时间进度要求，制定了详细的工作计划。

3.22024.03～2024.04编制组对相关领域的论文、产品手册等资料进行收集、整理和分析，对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较，到国内有关单位展开深入调研，并编写工作组讨论稿。

3.32024.05～2024.06编制组成员内部进行讨论，对工作组讨论稿进行了修改和完善，并召开讨论会，修改、完善标准内容，形成了标准征求意见稿，并编写编制说明。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

本标准为半导体器件机械和气候试验方法标准，属于基础标准。标准编写符合GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》、GB/T20000.2-2009《标准化工作指南第2部分：采用国际标准》的规定。

为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨，本标准等同采用IEC60749-28：2022《半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型（CDM）器件级》。

3、主要内容及其确定依据

本标准等同采用IEC60749-28:2022，除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC60749-28：2022保持一致。

本标准包含以下部分：“1范围”、“2规范性引用文件”、“3术语和定义”、“4所需设备”、“5测试机定期鉴定、波形记录、波形验证要求”、“6CDMESD测试要求和程序”、“7CDM分级标准”、“附录A（规范性）验证模块（金属圆片）规格及验证模块和测试机清洁指南”、“附录B（规范性）测试机场板介质上验证模块（金属圆片）的电容测量”、“附录C（规范性）小封装集成电路和分立半导体（ICDS）的测试”、“附录D（资料性）CDM测试硬件和计量提升”、“附录E（资料性）CDM测试机电气原理图”、“附录F（资料性）示波器设置和波形样例”、“附录G（资料性）场感应CDM

测试机放电程序”、“附录H（资料性）波形验证程序”、“附录I（资料性）确定大模块或器件完全充电时的合适充电延时”、“附录J（资料性）静电放电（ESD）敏感度测试直接接触充电器件模型（DCCDM）”、“参考文献”。

通过对比与试验验证，未发现IEC60749-28:2022不合理的内容，故可以等同翻译。

4、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）

编制组对国内产品的适用性进行了验证，深