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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102261979A
(43)申请公布日2011.11.30
(21)申请号CN201010183674.1
(22)申请日2010.05.26
(71)申请人苏州敏芯微电子技术有限公司
地址215006江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A02楼213B房间
(72)发明人庄瑞芬李刚
(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人杨林洁
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
用于真空测量的低量程压阻式压力
传感器及其制造方法
(57)摘要
本发明揭示了一种可以用于真空测
量的低量程压阻式压力传感器及其制造方
法，所述传感器包括硅片及安装于硅片上
方的键合层，所述硅片设有感压薄膜，感
压薄膜上突出有岛结构；所述硅片采用岛
结构的形式来实现低量程测量的要求；通
过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压
力的测量；另外，所述键合层还设有防止
感压薄膜过度变形的止挡块，通过止挡块
的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实
现传感器常压保存与过载保护的功能。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在于：包括硅片
及安装于硅片上方的键合层，所述硅片包括设有感压薄膜的顶壁、与顶壁相
对的底壁、自底壁向上凹设形成的背腔及突伸入背腔内的岛结构，
所述感压薄膜与背腔连通且位于背腔的上方，所述感压薄膜在
其应力集中区分布有连接成惠斯通电桥的若干压阻条；所述键合
层为硅或者玻璃且其包括固定于硅片顶壁上的外框、位于外框内
且与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止
挡块与感压薄膜之间有间隙，当感压薄膜受到来自背腔的压力而发生变
形时，所述止挡块可抵压感压薄膜以限制感压薄膜的过度变形。
2.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述岛结构的剖面为矩形或梯形。
3.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述外框包括相对设置的第一侧壁与第二侧壁，以及连接第一、第二侧
壁且位于腔体上方的上壁，所述腔体位于第一、第二侧壁之间，
所述止挡块与上壁一体延伸。
4.如权利要求3所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述硅片包括位于感压薄膜两侧的边缘硬框，所述第一、第二侧壁固定
于边缘硬框上。
5.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述腔体正对着感压薄膜，所述止挡块为多个并且具有平齐的下端面。
6.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述压阻条对称分布在感压薄膜上。
7.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在
于：所述低量程压阻式压力传感器用以测量绝对压力。
8.一种用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法，包括如下步
骤：
(a)提供硅片，在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅，并用RIE
刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口；
(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片，使得在膜结构开口处形成一定深度；
(
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