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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102261979A
(43)申请公布日2011.11.30
(21)申请号CN201010183674.1
(22)申请日2010.05.26
(71)申请人苏州敏芯微电子技术有限公司
地址215006江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A02楼213B房间
(72)发明人庄瑞芬李刚
(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人杨林洁
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
用于真空测量的低量程压阻式压力
传感器及其制造方法
(57)摘要
本发明揭示了一种可以用于真空测
量的低量程压阻式压力传感器及其制造方
法,所述传感器包括硅片及安装于硅片上
方的键合层,所述硅片设有感压薄膜,感
压薄膜上突出有岛结构;所述硅片采用岛
结构的形式来实现低量程测量的要求;通
过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压
力的测量;另外,所述键合层还设有防止
感压薄膜过度变形的止挡块,通过止挡块
的设计限制了感压薄膜的最大位移,以实
现传感器常压保存与过载保护的功能。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在于:包括硅片
及安装于硅片上方的键合层,所述硅片包括设有感压薄膜的顶壁、与顶壁相
对的底壁、自底壁向上凹设形成的背腔及突伸入背腔内的岛结构,
所述感压薄膜与背腔连通且位于背腔的上方,所述感压薄膜在
其应力集中区分布有连接成惠斯通电桥的若干压阻条;所述键合
层为硅或者玻璃且其包括固定于硅片顶壁上的外框、位于外框内
且与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块,所述止
挡块与感压薄膜之间有间隙,当感压薄膜受到来自背腔的压力而发生变
形时,所述止挡块可抵压感压薄膜以限制感压薄膜的过度变形。
2.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述岛结构的剖面为矩形或梯形。
3.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述外框包括相对设置的第一侧壁与第二侧壁,以及连接第一、第二侧
壁且位于腔体上方的上壁,所述腔体位于第一、第二侧壁之间,
所述止挡块与上壁一体延伸。
4.如权利要求3所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述硅片包括位于感压薄膜两侧的边缘硬框,所述第一、第二侧壁固定
于边缘硬框上。
5.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述腔体正对着感压薄膜,所述止挡块为多个并且具有平齐的下端面。
6.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述压阻条对称分布在感压薄膜上。
7.如权利要求1所述的用于真空测量的低量程压阻式压力传感器,其特征在
于:所述低量程压阻式压力传感器用以测量绝对压力。
8.一种用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法,包括如下步
骤:
(a)提供硅片,在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅,并用RIE
刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口;
(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片,使得在膜结构开口处形成一定深度;
(
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