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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101826536A
(43)申请公布日2010.09.08
(21)申请号CN201010121823.1
(22)申请日2010.02.25
(71)申请人索尼公司
地址日本东京
(72)发明人馆下八州志
(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人余刚
(51)Int.CI
H01L27/146
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
固态成像装置及其制造方法、以及
摄像装置
(57)摘要
本发明提供了一种固态成像装置及
其制造方法，以及一种摄像装置，该固态
成像装置包括：光电转换部，通过入射光
的光电转换而获得信号电荷；像素晶体管
部，输出光电转换部生成的信号电荷；外
围电路部，设置在包括光电转换部和像素
晶体管部的像素部的外围，并具有NMOS
晶体管和PMOS晶体管；第一应力衬垫
膜，具有压缩应力，设置在PMOS晶体管
上；以及第二应力衬垫膜，具有拉伸应
力，设置在NMOS晶体管上。在上述固态
成像装置中，光电转换部、像素晶体管
部，以及外围电路部设置在半导体基板中
和/或半导体基板上。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H01L27/146专利
2023-02-28号:ZL2010101218231申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种固态成像装置，包括：
光电转换部，通过入射光的光电转换而获得信号电荷；
像素晶体管部，输出所述光电转换部生成的信号电荷；
外围电路部，设置在包括所述光电转换部和所述像素晶体管部的像素部的外围，并
具有NMOS晶体管和PMOS晶体管；
第一应力衬垫膜，具有压缩应力，且设置在所述PMOS晶体管上；以及
第二应力衬垫膜，具有拉伸应力，且设置在所述NMOS晶体管上，
其中，所述光电转换部、所述像素晶体管部以及所述外围电路部设置在半导体基板
中和/或半导体基板上。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述第一应力衬垫膜设置在所述光电转换部、所述像素晶体管部以及所述
PMOS晶体管上，以及
所述第二应力衬垫膜设置在所述像素晶体管部以及所述NMOS晶体管上。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，
其中，所述第二应力衬垫膜设置在所述像素晶体管部上，所述第二应力衬垫膜与所
述像素晶体管部之间插入有所述第一应力衬垫膜。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述第一应力衬垫膜设置在所述光电转换部、所述像素晶体管部以及所述
PMOS晶体管上，以及
所述第二应力衬垫膜设置在所述光电转换部、所述像素晶体管部以及所述NMOS
晶体管上。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置，
其中，所述第二应力衬垫膜设置在所述光电转换部和所述像素晶体管部上，所述第
二应力衬垫膜与所述光电转换部和所述像素晶体管部之间插入有所述第一应力衬垫
膜。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述第一应力衬垫膜设置在所述光电转换部以及所述PMOS晶体管上，以
及
所述第二应力衬垫膜设置在所述光电转换部以及所述NMOS晶体管上。
7.根据权利要求6所述的固态成像装置，
其中，所述第二应力衬垫膜设置在所述光电转换部上，所述第二应力衬垫膜与所述
光电转换部之间插入有所述第一应力衬垫膜。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述外围电路部包括设置
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