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电子束物理气相沉积用8YSZ陶瓷靶材 技术条件.docxVIP

电子束物理气相沉积用8YSZ陶瓷靶材 技术条件.docx

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    电子束物理气相沉积用8YSZ陶瓷靶材技术条件TCSEA26—2023采用化学共沉淀法电熔法合成的高纯氧化esium部分稳定氧化锆ZrO?HfO?78wtY?O?原材料所制备的陶瓷靶材的技术要求质量保证标准适用范围为电子束物理气相沉积用8YSZ陶瓷靶材报告提纲1化学成分2外观3晶体结构4平均晶粒度5密度6密度均匀性7靶材尺寸8质量保证结论使用电子束物理气相沉积用8YSZ陶瓷靶材，可以有效提高电子器件

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    术条件

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    2023-2-7发布2023-3-1实施

    中国表面工程协会发布

    I

    T/CSEA26—2023

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