半导体制造工艺中更换清洗剂的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1885487A

(43)申请公布日2006.12.27

(21)申请号CN200510027043.X

(22)申请日2005.06.21

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人杨华王灵玲郭佳衢刘焕新

(74)专利代理机构上海新高专利商标代理有限公司

代理人楼仙英

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体制造工艺中更换清洗剂的方

法

(57)摘要

一种延长半导体集成电路制造工艺

中使用的湿法清洗剂使用寿命的方法。通

过少量添加清洗剂有效成分，使其在清洗

液中的含量能维持清洗液的有效清洗性

能，以及通过部分排出原有清洗液和部分

注入新的清洗液，来维持清洗液中其它成

分的含量。以这样的操作达到延长清洗液

使用寿命的目的，减少清洗液的消耗。另

一方面通过这样的方法还可以使整个工艺

流程更具有可调节性，提高生产效率。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种在半导体制造工艺中更换湿法清洗剂的方法，用来延长清洗剂的使用寿命，

至少包括以下步骤：

向清洗剂中少量添加清洗剂的主要有效成分；

排出一部分清洗剂，并注入一部分新的清洗剂。

其中少量添加清洗剂的主要有效成分可以在排出一部分清洗剂，并注入一部分新的

清洗剂之前，也可以在之后。

2、如权利要求1所述的方法，其中清洗剂用于去除光刻胶和抗光反射涂层。

3、如权利要求1所述的方法，其中清洗剂的主要有效成分是双氧水和四甲基氢氧

化氨。

4、如权利要求1所述的方法，其中排出一部分清洗剂，并注入一部分新的清洗剂

的操作定时进行，操作的间隔时间可根据实际需要调整。

5、如权利要求1所述的方法，其中添加清洗剂主要有效成分的时机可以是预定的，

每次操作的间隔时间根据实际需要调整。

6、如权利要求1所述的方法，其中添加清洗剂主要有效成分的时机通过监测主要

有效成分的含量来确定，当主要有效成分含量低于当前进行制程要求的标准时开始

添加相应成分。

7、如权利要求6所述的方法，其中判断主要有效成分含量的标准包括：双氧水含

量不低于1.5％，pH值不低于10。

说明书

技术领域

本发明涉及一种更换化学清洗剂以延长其使用寿命的方法，具体涉及在半导体制造

工艺中更换湿法半导体清洗剂的方法。

背景技术

清洗技术对半导体工业是极端重要的，可以说，如果没有有效的清洗技术，便没有

今日的半导体产业。传统清洗技术主要使用双氧水、甲苯、三氯乙烯、四甲基氢氧

化氨{TMAH，(CHsub3/sub)sub4/subNOH}等化学试剂，它们的成本较高。

CLK888(由美国MBI公司生产)是一种湿法清洗化学试剂，适用于铜(蚀刻速率＜

1/分钟＝和许多电介质，其对含氟硅玻璃(FSG)蚀刻速率＜0.5/分钟、对

Novellus公司生产的低介电常数介质Coral蚀刻速率＜0.5/分钟、对APPLY(应用

材料公司)生产的BlackDiamond蚀刻速率＜0.5/分钟，常用于在90纳米线宽或

以下的后端制程(BEOL，BackEndofLine)中去除后段蚀刻(post-etch)的光刻胶以及

DUO(Honeywell生产，一般用作抗光反射层)。对于此种工艺，CLK888的两个关

键组分分别是双氧水(Hsub2/subOsub2/sub)和四甲基氢氧化氨{TMAH，

(CHsub3/sub)sub4/subNOH}。其中双氧水主要用于去除后段蚀刻的光刻

胶，而四甲基氢氧化氨用于蚀刻DUO，它们分别是去除这两种物质的主要有效成

分。

当清洗剂中的有效成分损失过多时，