基岛露出及下沉基岛露出型引线框结构及其先刻后镀方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101826502A

(43)申请公布日2010.09.08

(21)申请号CN201010163640.6

(22)申请日2010.04.28

(71)申请人江苏长电科技股份有限公司

地址214434江苏省江阴市开发区滨江中路275号

(72)发明人王新潮梁志忠

(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所

代理人唐纫兰

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

基岛露出及下沉基岛露出型引线框

结构及其先刻后镀方法

(57)摘要

本发明涉及一种基岛露出及下沉基

岛露出型引线框结构及其先刻后镀方法，

包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二

组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二

基岛(1.2)，所述第二基岛(1.2)中央区域下

沉，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的正面

设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛

(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置

有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围的区

域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、

第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区

域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以

及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填

料的塑封料(3，且使所述基岛(1)和引脚(2)

背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，

形成上大下小的基岛和引脚结构。本发明

的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能

力大。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种基岛露出及下沉基岛露出型引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在

于：所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第二

基岛(1.2)中央区域下沉，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的正面设置有第一金属层

(4)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，

在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与

第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)

之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚下部外围、

引脚(2)与第一基岛(1.1)下部、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)下部、第二基岛(1.2)与

引脚(2)下部以及引脚(2)与引脚(2)下部连接成一体，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面

尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。

2.一种如权利要求1所述的基岛露出及下沉基岛露出型引线框先刻后镀方法，其特

征在于所述方法包括以下工艺步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴膜作业

利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，

步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光

刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域，

步骤四、金属基板正面半蚀刻

对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形

成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基

岛，另一组为第二基岛，

步骤五、金属基板正背面揭膜作业

将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除，

步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂

在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，填涂上无填料的软性填缝剂，并同

时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封料，

步骤七、金属基板正背面贴膜作业

利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面分别

贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，

步骤八、去除部