模拟电子技术基础课件(共137张课件).pptxVIP

模拟电子技术根底课件;1.本课程的性质;目录;电子技术:;模拟电子技术：;第一章常用半导体器件;本章讨论的问题：;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;;;四、本征半导体中载流子的浓度;1.半导体中两种载流子;1.1.2杂质半导体;本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;;二、P型半导体;图1.1.4P型半导体;说明：;在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。;PN结中载流子的运动;3.空间电荷区产生内电场;5.扩散与漂移的动态平衡;二、PN结的单向导电性;在PN结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻R。;耗尽层;

当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；

当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。

;IS：反向饱和电流

UT：温度的电压当量

在常温(300K)下，

UT?26mV;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应;空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2.扩散电容Cd;综上所述：;1.2半导体二极管;1点接触型二极管;3平面型二极管;1.2.2二极管的伏安特性;二、温度对二极管伏安特性的影响;1.2.3二极管的参数;1.2.4二极管等效电路;1.2.4二极管等效电路;1.2.4二极管等效电路;二、二极管的微变等效电路;应用举例;1.2.5稳压二极管;(1)稳定电压UZ;↓;例1：稳压二极管的应用;;例2：稳压二极管的应用;一、发光二极管LED(LightEmittingDiode);发光类型：;二、光电二极管;1.3双极型晶体管(BJT);1.3.1晶体管的结构及类型;图1.3.2(b)三极管结构示意图和符号NPN型;集电区;1.3.2晶体管的电流放大作用;三极管内部结构要求：;b;b;b;三、晶体管的共射电流放大系数;3、共基直流电流放大系数;1.3.3晶体???的共射特性曲线;;;二、交流参数;1.最大集电极耗散功率PCM;由PCM、ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。

输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响;三极管工作状态的判断;[例2]某放大电路中BJT三个电极的电流如下图。

IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。;例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：

〔1〕U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V

〔2〕U1=3V、U2=2.8V、U3=12V

〔3〕U1=6V、U2=11.3V、U3=12V

〔4〕U1=6V、U2=11.8V、U3=12V

判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。;1.3.6光电三极管;复习;1.4场效应三极管;N沟道;;P沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用;1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用;1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用;2.当uGS为UGS〔Off)~0中一固定值时,uDS对漏极电流iD的影响。;G;3.当uGDuGS(off)时,uGS对漏极电流iD的控制作用;小结;二、结型场效应管的特性曲线;转移特性;IDSS/V;＊结型P沟道的特性曲线;1.4.2绝缘栅型场效应管MOSFET

Metal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor;一、N沟道增强型MOS场效应管;1.工作原理;(2)UDS=0，0UGSUGS(th);(4)UDS对导电沟道的影响(UGSUT);D;3.特性曲线与电流方程;二、N沟道耗尽型MOS场效应管;N沟道耗尽型MOS管特性;为什么采用半导体材料制作电子器件？

电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析及制造的工程实