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第四讲半导体的导电性

4.1载流子的漂移运动迁移率

1.电导的微观理论

欧姆定律

V

sIV=RI欧姆定律的微分形式——把

通过半导体中某一点的电流

L密度和该处的电导率及电场

强度直接联系起来。

l1

V=ElR

Is

JJE

s

载流子的漂移运动——在外加电场作用下所作的定向运动。

设电子浓度为n，平均漂移速度为vd，则电流

sn

n(−q)vts

Id−nqvs

d

t

vd1秒

J=−nqvd

迁移率

电子加速度电子漂移速度

fq

a**Ev(t)atvdEvdE

d

mm

nn

迁移率

vd◆因为电子逆电场方向运动，平均漂移

速度为负，而习惯上迁移率只取正值。

E

2

单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。单位：cm/V•s

➢迁移率反映载流子在电场中漂移运动的难易程度。

vdE

JnqvdnqEEnq

2.半导体的电导率和迁移率电场强度方向

电子漂移方向

在半导体中，有两种载流子：n，p

电子电流

空穴电流

JJ=+J(nq=+pq)E