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第五讲非平衡载流子
5.5连续性方程
连续性方程——扩散和漂移同时存在时,少子所遵守的运动规律。
n型半导体,x方向施加电场;光注入非平衡载流子。
dV内空穴的变化:①扩散造成的空穴积累
dV
②漂移造成的空穴积累p(x)p(x+dx)
③载流子的产生
xx+dx
④载流子的复合
单位体积内空穴浓度随时间的变化率
扩散漂移复合产生
2
pppEp
D=−E−p−+g
tpx2pxpxp
p
单位体积内电子浓度随时间的变化率
2
nnnEn
D=+E+n−+g
tnx2nxnxn
n
稳态时载流子浓度的分布不随时间变化
pn
0,0
tt
稳态连续性方程
2
ppEp
D−E−p−+g=0
px2pxpxp
p
2
nnEn
D+E+n−+g=0
nx2nxnxn
n
➢连续性方程反映了半导体中,少数载流子运动的普遍规律。
➢是研究半导体器件工作原理的基本方程之一。
1.光激发载流子衰减
•光照在均匀半导体内均匀产生非平衡载流子;
•无外加电场
•零时刻停止光照,且无其它非平衡载流子激发方式;
在上述条件下有:
p/x0,E0,gp0
2
连
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