具有集成场效应整流器的MOSFET.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102037548A

(43)申请公布日2011.04.27

(21)申请号CN200980115255.X

(22)申请日2009.04.28

(71)申请人意法半导体有限公司

地址荷兰阿姆斯特丹

(72)发明人A·安考迪诺维V·罗多维R·科德尔

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

代理人王茂华

(51)Int.CI

H01L21/335

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

具有集成场效应整流器的MOSFET

(57)摘要

一种修改的MOSFET结构，包括

集成的场效应整流器，连接在MOSFET的

源极与漏极之间，用于在MOSFET的切换

期间分流电流。集成的FER提供MOSFET

的更快切换，因为在切换期间没有注入的

载流子，而同时还相对于分立的解决方案

降低了EMI的程度。MOSFET和FER的

集成结构可以使用N-外延、多层外延和超

沟槽技术包括0.25μm技术来制造。可以使

用自对准工艺。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):H01L21/335专利

2022-04-08号:ZL200980115255X申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1.在具有栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构中，

其中在所述源极和所述漏极之间流动的电流由施加到所述栅极的电压控制，改进包

括：

场效应整流器，其连接在所述源极和所述漏极之间，并用于在MOSFET的切换期

间通过其分流电流。

2.根据权利要求1的MOSFET结构，其中MOSFET是DMOS结构。

3.根据权利要求1的MOSFET结构，其中MOSFET是UMOS结构。

4.根据权利要求1的MOSFET结构，使用自对准工艺形成。

5.根据权利要求1的MOSFET结构，使用不大于0.25μm的工艺形成。

6.根据权利要求1的MOSFET结构，使用N-外延工艺形成。

7.根据权利要求1的MOSFET结构，使用多层外延工艺形成。

8.根据权利要求1的MOSFET结构，使用超沟槽工艺形成。

9.一种集成半导体结构，包括：MOSFET，其具有栅极、源极和漏极；以及场效应

整流器，其形成在与所述MOSFET相同的衬底中，并且连接在所述MOSFET的源

极与漏极之间，用于在所述MOSFET的切换期间传导电流。

说明书

pu相关申请/u

本发明涉及并请求如下专利申请的优先权：2008年9月25日提交的标题为

“AdjustableFieldEffectRectifier”(附为附件A)、序列号为12/238,308的美国专利申

请，以及通过它于2007年9月26日提交的序列号为60/975,467的美国临时专利申

请，以及2009年1月23日提交的标题为

“RegenerativeBuildingBlockandDiodeBridgeRectifier”、序列号为12/359,094的美

国专利申请，以及通过它于2008年1月23日提交的序列号为61/022,968的美国临

时专利申请，以及2008年4月28日提交的标题