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第二章有体的静§2.1静中的体§2.2封金属壳内外的静§2.3容器及其容§2.4静演示器§2.5体系的静能1

§2.1静中的体几个常用：体（conductor）：存在大量自由荷体中性体孤立体体（insulator）：基本上没有参与的自由荷半体（semiconductor）：介于上二者之2

2.1.1静平衡１、金属体的构无外，整个金属的量代数和零，呈中性，子只是作无的运。3

无外

体的静感程E外加上外后

体的静感程E外+加上外后

体的静感程E外++加上外后

体的静感程E外+++++加上外后

体的静感程E外+++加上外后

体的静感程E外+++++加上外后

体的静感程E外+++++加上外后

体的静感程E外+++++++加上外后

体的静感程E外++++++加上外后

体的静感程E外++++++++加上外后

体的静感程E外++++++++++加上外后

体的静感程E外++++++++++加上外后

体达到静平衡++++++E外E感++++感荷感荷

2、静感当把体引入E的外后，体中的自由子就在0外的作用下，沿着与方向相反的方向运，从而引起体内部荷的重新分布象，就是静感。因静感而出的荷称感荷。3、体内部的式中是感荷所生的附加。18

4、体静平衡及其条件（1）静平衡：在体内部及表面各都没有荷作宏定向运的状（一定荷体亦成立）。于外中的体，其子同受到外和附加的作用力，开始外力大于附加的力，子作定向移。当两种作用力达到平衡，子的定向移就停止了、即达到静平衡。于良好体，一程大只需10-14秒。（２）体静平衡的条件：除静力不受其他力：体内部任一点的零。除静力受其他力：体内部可移荷所受力的合力零。19

5、体在静平衡的性性(1)体是等体，体表面是等面性(2)体内无荷（），荷只分布于体表面.高斯面S（宏小，微大）静平衡条件荷只分布于外表面.

性(3)体外部，靠体表面的点的方向与体表面垂直，大小与体表面点的荷面荷密度成正比.表面P作平行于表面的面元,以底，P的法向，作如高斯面S。

思考：体表面某点荷密度，外附近，将另一体移近，点是否化？公式是否仍成立？体表面化，外附近化，而仍然成立。

2.1.2体所受的静力生的：除外所有荷生的：受到静力：P沿体表面法向稍外移至P1P可任意靠近P，它而言可无限大平面123

在面上P点不，但在P点受到静力：在面上P点突，完全是由含P的小面元的突造成的。24

2.1.3孤立体形状荷分布的影响于孤立体，其荷面密度与表面的曲率有关一般，在体的向外突出部位的曲率越大，面密度?也越大。+++++++++++++++++孤立球形体表面曲率相等，因而其荷，荷一定是均匀分布在其外表面的。25

曲率大，表面尖而凸出部分，荷面密度大曲率小，表面比平坦部分，荷面密度小曲率，表面凹去的部分，荷面密度最小尖端放尖端特，足以使周空气分子离而使空气被穿，致“尖端放”。——形成“”

2.1.4体静平衡的方法定性方法：从静平衡的性出，利用某些解技巧，必要加上一形象工具。：P49-P51例1,2,327

例已知：体板A，面S、量Q，在其旁放入体板B。求：B上的荷分布及空的分布a点b点A板B板

解方程得:荷分布板左分布两板之板右

§2.2封金属壳内外的2.2.1壳内空的（1）壳内空无体的情况（2）壳内空有体的情况壳外空的（1）壳外空无体的情况（2）壳外空有体的情况30

静屏蔽封体壳（不接地与否）内部的不受外的影响；接地封体壳（或金属网）外部的不受壳内荷的影响。++++

如：高作人穿的的工作服。32

2.2.3范德格拉夫起机利用体的静特性和尖端放象，可使物体不断地有大量荷，的装置叫范德格拉夫起机.8.27范德格拉夫起机33

§2.3容器及其容2.3.1孤立体的容容——使体升高位所需的量，反映的是体存荷和能的能力。孤立体：周无其他体，介和体孤立体的容位：法拉（F）、微法拉（?F）、皮法拉（pF）

[例]半径R的孤立金属球的容其量Q金属球：由容定：孤立体球的容C=4??R0孤立体容取决于本身形状大小,与其是否无关。

2.3.2容器及其容1、容器１）从原上：任何两个彼此相隔一定距离而又彼此的体合２）从用上：根据屏蔽原理所的彼此的体合容器陶瓷容器可容器解容器容器36

2、容器的容37

１）平行板容器AS极板面、d板距离、两板空气，极板荷qB可忽略效极板的差与有关；插入介得38

２）柱型容器体A位度+?，体B位度-?。l在A、B之的由高斯定理得A、B两体的差度l的容器容39

３）球型容器:已知分布差+q、-q由定孤立体的容

容器的接1、容器的参数：容-----容的大小。耐-----容器两极板可以承受的最大。2、容器的串:3、容器的并:41

§2.4静演示器2.4.1感起机2.4.2静42

§2.5体