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第二讲半导体中的杂质和缺陷能级

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

1.Ⅲ-Ⅴ族化合物

ⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA

5B6C7N8O9F铝、镓、铟磷、砷、锑

硼碳氮氧氟

2122232425

2s2p2s2p2s2p2s2p2s2p

10.8112.0114.0116.0019.00

13Al14Si15P16S17Cl

铝硅磷硫氯

2122232425磷化铝，锑化铝，砷化铝，

3s3p3s3p3s3p3s3p3s3p

26.9828.0930.9732.0735.45磷化镓，砷化镓，锑化镓，

31Ga32Ge33As34Se35Br

镓锗砷硒溴磷化铟，砷化铟，锑化铟

2122232425

4s4p4s4p4s4p4s4p4s4p

69.7272.6174.9278.9679.90

49In50Sn51Sb52Te53I

铟锡锑碲碘

2122232425

5s5p5s5p5s5p5s5p5s5p

114.8118.7121.8127.6126.9

81Tl82Pb83Bi84Po85At

铊铅铋钋砹

2122232425

6s6p6s6p6s6p6s6p6s6p

204.4207.2209.0[209][210]

2.杂质在砷化镓（GaAs）中的位置

GaAsGaAsGaAs

BC间隙式——C

AsGaGaAsGa



替代Ⅲ族原子——A

GaAsGaAsGaAs

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