3.4-1杂质半导体的费米能级.pdfVIP

第三讲半导体中载流子的统计分布

3.4杂质半导体的费米能级和载流子浓度

——费米能级

1.杂质能级上的电子和空穴

Ec

未电离的施主杂质

⊕⊕

ED杂质能级上都被电子占据

离化态中性态已电离的受主杂质

Ev

n型半导体

杂质能级——不允许同时被自旋方向相反的两个电子所占据

（施主能级）

区别

能带中能级——可以容纳自旋方向相反的两个电子

电子占据施主能级ED的概率为：锗、硅、砷化镓等材料

gD2,gA4

1

fD(E)

1E−E

施主能级的1+expDF

gkT

简并因子D0

空穴占据受主能级EA的概率为：

1

fA(E)

1E−E

1+expFA

gkT

受主能级的A0

简并因子

施主能级上的电子浓度

N

nNfED

DDD()

1E−E

1+expDF

gkT

D0

受主能级上的空穴浓度

N

pNfEA

AAA()