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第五讲非平衡载流子

5.1非平衡载流子的注入与复合

1.非平衡载流子的产生

非简并半导体处于

热平衡状态的判据

热平衡态:

E−EE−EE

nNexp=−cFpNexp=−FvnpNNexp=−g=n2

0c0v00cvi

kTkTkT

000

外界作用(光、电注入)破坏平衡态,产生非平衡载流子。

nn=+n

0

E

c

h

非平衡载流子n=p

2

Enpni

v

pp0=+p

2.非平衡载流子的注入程度

n型:p0nn0nn,pp

0

小注入

p型:n0pp0pp,nn

0

大注入n或pn+p

00

➢非平衡少数载流子更重要

小注入例子

15−3

掺杂浓度ND1.5=10cm的n型半导体硅,

2

n

15−3i5−310−3

n01.5=10cm,p01.510

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