增强表面附着性及故障模式分析的新式元件结构.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1722404A

(43)申请公布日2006.01.18

(21)申请号CN200510075212.7

(22)申请日2005.06.03

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号

(72)发明人林慧祈郑义荣王昭雄

(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人寿宁

(51)Int.CI

H01L21/768

H01L21/31

H01L21/82

H01L23/52

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

增强表面附着性及故障模式分析的

新式元件结构

(57)摘要

本发明是有关于一种增强表面附着

性及故障模式分析的新式元件结构，提供

一具有半导体元件形成其中与其上的基

材，此半导体元件的结构包含了介电常数

小于4.5的介电层，此介电层之内又再包

含有镶嵌着导体层的孔洞。其中在介电层

与导体之间的介电材料具有一粗糙度，此

介电层的粗糙度除以导体层下的阻障层厚

度后会得到0～1的值。在进行故障模式分

析之前，为了故障模式分析的进行，会利

用光学检验(opticalexamination)或扫描式

电子显微镜(ScanningElectron

Microscope，SEM)等方式，先将此集成电

路结构中的低介电常数材料移除，并暴露

出导体层。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种制造集成电路结构的方法，包含步骤：

提供一基材，其中该基材之中与之上形成有复数个半导体元件结构；

形成一介电层于该些半导体元件结构之上；

形成一通道穿越该介电层至该些半导体元件结构其中之一；

粗糙化该介电层之一表面之一部分；以及

使用一导体层填充该通道于完成该集成电路结构制作的后续程序之前。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该介电层为一包含有硅、碳、氟、氧元素或上

述元素的组合物的合成介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该介电层更包含一低介电常数介电层，具有在

1.7至4.5间之一介电常数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该粗糙化该介电层的该表面的步骤包含了暴露

该集成电路结构于包含有铵根离子(NHsub4/subsup+/sup)之一环境中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该粗糙化该介电层的该表面的步骤系利用复数

个微粒子束轰击该集成电路结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该粗糙化该介电层的该表面的步骤是利用包含

有热氢元素(thermalhydrogen)的环境处理该集成电路结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该导体层更包含一阻障层于该介电层经过粗糙

化的该表面之上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中该介电层经过粗糙化的该表面的平均粗糙度小

于150埃(Angstroms)。

9.一种故障分析方法，用于集成电路结构，包含步骤：

提供一基材，其中该基材之中与之上形成有复数个半导体元件结构；

形成一介电层于该些半导体元件结构之上；

形成一通道穿越该介电层至该些半导体元件结构其中之一；

粗糙化该介电层之一表面之一部分；

使用一导体层填充该通道以完成该集成电路结构的制作；以及

移除该介电层并暴露该导体层，做为该集成电路结构接受该故障分析的准备。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该介电层包含了硅、碳、氟、氧元素或上述

元素的组合物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中该介电层更包含一低介电常数介电层，具有

在1.7至4.5间之一介电常数。

12.根据权利要求9所述的方法，其中该粗糙化该介电层的该表面的步骤包含了暴

露该集成电路结构于包含有铵根离子(NHsub4/subsup+/sup)之一环境中。

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