一种像素结构制造方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102664162A

(43)申请公布日2012.09.12

(21)申请号CN201210146302.0

(22)申请日2007.03.27

(71)申请人友达光电股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人颜士益郑逸圣

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人任默闻

(51)Int.CI

H01L21/77

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种像素结构制造方法

(57)摘要

本发明是有关于一种像素结构制造

方法，该方法是先提供一基板，形成一具

有一主动区及一储存电容区的半导体层于

透光基板上，并于半导体层上形成一源极

及一漏极，接着于源极、漏极及半导体层

上形成一隔离层，再于隔离层上形成一栅

极及一电容电极，栅极及电容电极分别设

于与主动区及储存电容区的对应处上，并

于栅极、电容电极及隔离层上依序形成一

介电层及一屏蔽层，如此已形成一薄膜晶

体管，接着于屏蔽层形成一开口图案进行

刻蚀，进而形成一接触窗，最后形成一导

电层于屏蔽层上，使得漏极通过接触窗与

导电层电性连接，如此经上述步骤形成一

像素结构，本发明的像素结构可增加其储

存电容量，且不会降低开口率，又可防止

金属外漏。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法包含：

提供一基板；

形成一半导体层于该基板上，其中形成所述的半导体层的步骤包含：

沉积一半导体薄膜于所述的基板上；

形成一第一光刻胶屏蔽于该半导体薄膜上；

利用一第一掩膜对该第一光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图

案化的第一光刻胶屏蔽；

通过该已图案化的第一光刻胶屏蔽对所述的半导体薄膜进行一第一

离子注入以形成一储存电容区，该储存电容区为一重离子掺杂区；及

移除所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽，形成所述的半导体层；

形成一源极及一漏极于该半导体层上方并与其直接接触，形成所述的源

极及所述的漏极的步骤包含：

沉积一第一金属层于所述的半导体层上方；

沉积一第二光刻胶屏蔽于该第一金属层上；

利用一第二掩膜对该第二光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图

案化的第二光刻胶屏蔽；

移除未被该已图案化的第二光刻胶屏蔽遮蔽的局部的所述的第一金

属层；及

移除所述的已图案化的第二光刻胶屏蔽，形成所述的源极及所述的

漏极；

形成一隔离层覆盖于该源极及漏极；

于形成该源极及该漏极的步骤后，同时形成一栅极及一电容电极于该隔

离层上；

形成一介电层覆盖于该栅极及该电容电极上；

形成一屏蔽层覆盖于该介电层上；

形成一接触窗于所述的漏极上方以暴露该漏极；及

形成一导电层于所述的屏蔽层上并通过所述的接触窗直接与所述的漏极

电性连接；

其中，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗的步骤包含：

连续沉积一介电薄膜及一屏蔽薄膜于所述的栅极、所述的电容电极及所

述的隔离层上；及

利用一第四掩膜对所述的介电薄膜及所述的屏蔽薄膜进行一光刻刻蚀工

艺，形成所述的介电层、所述的屏蔽层及所述的接触窗。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该介电层覆盖于该栅极

及该电容电极上的步骤中，该介电层完全覆盖于该栅极及该电容电极上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该隔离层覆盖于该源极

及漏极的步骤中，该隔离层完全覆盖于该源极及漏极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该屏蔽层覆盖于该介电

层上的步骤中，该屏蔽层完全覆盖于该介电层上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一光刻胶屏蔽为一