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1·NMOS的饱和电流更高
因为饱和电流的大小与载流子有关系，P管为空穴导电，N管为电子导电，电子的迁移
率大于空穴。同样的电场下，N管电流大于P管，因此要增大P管的宽长比使之对称，
这样才能使得二者上升时间和下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充放电时间相
等。
2（1）静态CMOS反相器的工作原理
当Vi为高电平时(如V)，PMOS管截止、NMOS管导通，输出节点与地之间电压V
DDo
为0；
当Vi为低电平时(如0)，PMOS管导通、NMOS管截止，输出节点与地之间电压V为高
o
电平（VDD）；
即：当V为低电平时V为高电平；V为高电平时V为低电平，电路实现了非逻辑运算，
IoIo
是非门——反相器。原理图如下：
上面是沟道增强型，下面是沟道增强型
PN
（2）静态CMOS反相器的优点
a)输出高电平和低电平分别为VDD和GND
b)逻辑电平与器件的相对尺寸无关（无比逻辑），所以晶体管可采用最小尺寸
c)稳态时输出和VDD或GND之间总存在一条具有有限电阻的通路
d)CMOS反相器输入电阻极高，稳态输入电流几乎为零
e)CMOS在稳态情况下电源线和地线没有直接通路，没有电流存在（忽略漏电流），因
此该门不消耗任何静态功率
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