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证券研究报告行业专题报告海外存储龙头系列:美光二十年复盘,洞悉存储龙头周期密码2024.02.28
一张图看懂存储——AI助推需求高增长,半导体存储周期拐点已现存储器分类:光学+磁性+半导体半导体存储关键技术进展:NAND+DRAM存储市场呈现海外寡头垄断格局,CR3/CR5高达90+%性能分类原理示意图关键制程节点技术路径DRAM:CR3达95%791亿美元NANDFlash:CR5达96%NORFlash:CR3达91%601亿美元37亿美元CD光学存储238L3DNAND通过电子隧穿进浮栅DVD行业概况NANDFlash磁盘NANDFlash(占比42%)存储器三星$198亿(占33%)Kioxia/WDC$192亿(占32%)三星$340亿(占43%)SK海力士$221亿(占28%)华邦$10亿(占35%)旺宏磁性存储软盘$9亿NORFlash(占比2%)(占33%)机械硬盘通过电容存储电荷10nm(1β)HBM,CXLEEPROM等(占比1%)非易失性存储易失性存储DRAM(占比55%)DRAMSK海力士$114亿(占19%)美光$72亿(占12%)兆易创新$7亿(占23%)其他$3亿(占9%)半导体存储美光$198亿(占25%)其他其他约占半导体市场规模的1/4SRAMCXL存储产业链结构产业周期:存储周期通常为3-4年,是半导体风向标供给侧:各原厂扩产计划放缓,23年资本开支降幅达双位数产业链及产业周期存储原厂铠侠减少产出降低投资上游-原材料+设备同比YoY同比YoY2022年9月宣布将减少NANDFlash30%产量/硅片PCB光刻机CMP设备刻蚀设备薄膜沉积设备封测设备存储芯片市场规模(3MMA)存储芯片平均单价(3MMA)市场规模:存在周期性波动,当前仍处下行周期存储价格:终端需求低迷,当前价格仍处下跌阶段160140120100806040200150%100%50%12.0010.008.006.004.002.000.0080%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%2023年1月宣布NANDFlash减产2023年资本开支下调15%至23亿美元电阻/电容/电感西部数据美光30%宣布减少20%的NANDFlash和DRAM晶圆产出2023年资本开支将同比下滑40+%至约70亿美元中游-存储器模组制造0%存储芯片设计Fabless-50%-100%2023年资本开支将从2022年的19万亿韩元下调50%以上SK海力士传统产品及低毛利率产品均将减产NANDFlash:主控芯片IDM(原厂)存储晶圆制造2023年4月宣布将显著减少存储器可能灵活调整2023年设备方面的产量资本支出三星模组厂商封测厂商器件/模组封测需求侧1:26年全球数据量将达221ZB,AI加速存储需求增长需求侧2:单机平均存储容量翻2/4倍,将带动总需求数倍增长下游-应用领域供需格局行业规律:每投资1美金算力→对应投资0.5~0.7美金存储IDC预计26年全球AI服务器市场将达$347亿→对应存储投资预估约$65亿移动终端摄影/监控76亿美元单机平均存储容量增长→移动终端出货量稳定→总存储容量需求数倍增长481亿美元……数据量(ZB)YoY(%)金额亿美金()美国77.0978.97312.81:2西欧41.5725.698.24218.021:1.51:3.3中国39.4026.61全球智能手机和PC出货量(单位:亿)3002001000200%100%0%单机平均存储容量:128GB→256GB\512GB存储智能手机PC据IDC预测:2026年全球数据量达221ZB服务器内置存储计算存算投资比例2010014.314.714.614.113.713.012.913.412.512.7电脑/服务器676亿美元汽车电子10.051亿美元3.13.12.82.62.62.62.73.03.52.92.8英伟达发布DGXGH200AI超级计算机,性能突破1EFlops(存算投资比例)2:1算力需求存储需求刻蚀设备薄膜沉积设备光刻机存储晶圆存储芯片设计存储模组主控芯片封装测试公司分类海外中国大陆北方华创中微公司海外中国大陆海外ASML中国大陆华卓精科海外中国大陆海外中国大陆海外中国大陆海外中国大陆海外中国大陆LamTELTEL应用材料拓荆科技北方华创美光三星长江存储长鑫存储三星铠侠SK海力士兆易创新北京君正东芯股份普冉股份Kingston江波龙佰维存储德明利Marvell慧荣科技联芸科技得一微日月光深科技尼康佳能华天科技长电科技通富微电AMATSK海力士朗科科技数据:ASML,IDC,WSTS,Omdia,Counterpoint,Yole,NVID
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