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SiC薄膜的制备及性能争论
指导教师：学生姓名：
专业班级：材料工程
摘 要
碳化硅被誉为下一代半导体材料，由于其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC争论进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能。SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的构造,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气相沉积法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等。最终讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC
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