拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案 中文课件.pptVIP

第二章作业答案Copyrightforzhouqn

2.1、W/L=50/0.5，假设|V|=3V，当|V|从0上升到DSGS3V时，画出NFET和PFET的漏电流V变化曲线GS解：a)NMOS管：假设阈值电压V=0.7V,不考虑亚TH阈值导电①当V0.7V时，NMOS管工作在截止区，则I=0GSD②当V0.7V时，NMOS管工作在饱和区，NMOS管GS的有效沟道长度L=0.5-2L，则effDCopyrightforzhouqn

a)PMOS管：假设阈值电压V=-0.8V,不考虑亚TH①当|V|0.8V时，PMOS管工作在截止区，则I=0GSD②当|V|≥0.8V时，PMOS管工作在饱和区，PMOSGS管的有效沟道长度L=0.5-2L，则effDCopyrightforzhouqn

2.2W/L=50/0.5,|I|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨D导和输出阻抗，以及本证增益gmro解：本题忽略侧向扩散LD1）NMOS2）PMOSCopyrightforzhouqn

?2.3导出用I和W/L表示的gr的表达式。画出以L为Dmo参数的gr~I的曲线。注意λ∝LmoD解：Copyrightforzhouqn

2.4分别画出MOS晶体管的I~V曲线。a)以V作为参DGSDS数；b)以V为参数，并在特性曲线中标出夹断点BS解：以NMOS为例当VV时，MOS截止，则I=0GSTHD当VVV+V时，THGSDSTHMOS工作在饱和区当VV+V时，MOS工作在三极管区（线性区）GSDSTHCopyrightforzhouqn

2.5对于图2.42的每个电路，画出I和晶体管跨导关于VXX的函数曲线草图，V从0变化到V。在(a)中，假设VXDDx从0变化到1.5V。（V=3V）DD(a)上式有效的条件为即Copyrightforzhouqn

(a)综合以上分析V1.97V时，M工作在截止区，则I=0,g=0X1XmV1.97V时，M工作饱和区，则X1Copyrightforzhouqn

(b)λ=γ=0,V=0.7VTH①当0V1V时，MOS管的源-漏交换X工作在线性区，则②当1VV1.2V时,MOS管工作在线性区XCopyrightforzhouqn

③当V≥1.2V时,MOS管工作在饱和区XCopyrightforzhouqn

(C)λ=γ=0,V=0.7VTH①当V0.3V时，MOS管的源-漏交换，工作在饱和区X②当V≥0.3V时，MOS管工作截止区XCopyrightforzhouqn

(d)λ=γ=0,V=-0.8VTH①当0V≤1.8V时，MOS管上端为漏极，下端为源极，XMOS管工作在饱和区②当1.8VV≤1.9V时，MOS管工作在线性区XCopyrightforzhouqn

③当V1.9V时，MOS管S与D交换XMOS管工作线性区Copyrightforzhouqn

(e)λ=0,当V=0时,V=0.893V，此时MOS工作在饱和区XTH随着V增加，V降低，V降低，此时MOS管的过驱动电压增XSBTH加，MOS管工作在饱和区；直到过驱动V上升到等于DSAT0.5V时，MOS管将进入线性区，则有Copyrightforzhouqn

当V1.82V时，MOS管工作在线性区？？？？XCopyrightforzhouqn

2.7对于图2.44的每个电路，画出V关于Vinout的函数曲线草图。V从0变化到V=3V。inDD解：(a)λ=γ=0,V=0.7VTH右图中，MOS管源-漏极交换?当V0.7V时，M工作在截止区，in1V=0out?当0.7V≤1.7V时，M工作在饱和区，则in1?当1.7VV3V时，M工作在线性区，则in1Copyrightforzhouqn

2.7(b)λ=γ=0,V=0.7VTH?当0V1.3V时，M工作在线性区，则in1?当V≥1.3V时，M工作在饱和区，则in1Copyrightforzhouqn

2.7(c)λ=γ=0,V=0.7VTH?当0V2.3V时，M工作在线性区，则in1?当V≥2.3V时，M工作在饱和区，则in1Copyrightforzhouqn

2.7(d)λ=γ=0,V=-0.8VTH?当0V1.8V时，M工作在截止区，则in1?M工作在饱和区边缘的条件为V=1.8V，此时假设1outV=V