Wafer制程及IC封装制程.pptVIP

IC封装制程二、现有的IC封装型式(2)TO:TOPUP(TO92，TO251，TO252，TO263，TO220)SOT:SmallOutlineTransistorWLCSP封装投入研发的厂商有FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。优点：缩小内存模块尺寸、提升数据传输速度与稳定性、无需底部填充工艺等。符合可携式产品轻薄短小的特性需求IC封装制程研磨/切割WaferSaw上片DieAttach焊线WireBond压模Molding印码Marking电镀Plating成型Trim/Form总检Inspection三、IC封装流程包装Pack晶圆研磨晶片从背面磨至适当厚度以配合产品结构和封装的需求。晶圆正面贴上UVtape，再以机械的方式对晶圆研背面进行研磨，至所需之晶圆厚度，再以紫外线曝照胶带，使其由晶圆正面剥离取出。晶圆切割晶圆安装切割晶粒检查上片准备目的：将前段制程加工完成的晶圆上一颗颗晶粒切割由于晶粒与晶粒之間距很小，而且晶粒又相当脆弱，因此晶片切割机精度要求相当高，切割的过程中会产生很多的小粉屑，因此在切割過程中必須不断地用纯水冲洗残屑，以避免污染到晶粒。贴片晶粒银浆導線架晶粒座(diepad)把芯片装配到管壳底座或框架上去。常用的方法：树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。上片要求：芯片和框架连接机械强度高，导热和导电性能好，装配定位准确，能满足自动键合的需要树脂粘结法：采用环氧树脂，酚醛，硅树脂等作为粘接剂，加入银粉作为导电用，再加入氧化铝粉填充料焊线等离子清洗焊线准备焊线作业焊线检查模压准备模压前检查*利用高纯度的金线（Au）、铜线（Cu）或铝线（Al）把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来，以便实现晶粒之电路讯号与外部讯号通信*焊线检查：焊线断裂，焊线短路、焊线弯曲、焊线损伤*W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。连接晶片与导线架示意图压模BeforeMoldingAfterMolding等离子清洗树脂回温模压前L/F预热磨面处理模压检查模压作业模压后长烤电镀准备电镀准备*为了防止外部环境的冲击，利用EMC把WireBonding完成后的产品封装起来的过程。EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特

性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。压模过程焊线完成之导线架预热置于研磨机之封装模上封闭封装模灌胶开模印码inklaser在产品的正面或背面显示出产品的型号、批次、生产日期、公司的logo等。作用：给予IC元件适当之辨识及提供可以追溯生产之记号。电镀BeforePlatingAfterPlating利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面

镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿

和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及

提高导电性。电镀一般有两种类型：Pb-Free：无铅电镀，采用的是99.95%高纯度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占

15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰成型去胶去纬去框成型（1）去胶（Dejuck）：是指利用机械磨具将脚间的费胶去除。即利用冲压的刀具（Punch）去除介于胶体（Package）与DamBar之间的多余的溢胶。成型（2）去纬（Trimming）：是指利用机械磨具将脚间金属连杆切除。（3）去框（Singulation）：是指将已完成印章制程之LeadFrame以冲模的方式将TieBar切除，使Package与LeadFrame分开，以方便下一个制程作业。切筋成型切筋(Trim)：把塑封后的框架状态的制品分割成一个一个的IC

成型(Form)：对Trim后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状,放置进Tube或者Tray盘中；总检目的：在完成封裝动作后，尽管IC之前已通过前段晶圆针測，但为了确保IC不因前述个封裝流程影响其原有功能，所以必须进行百分之百的电性功能检验以避免客户拿到不良品。最终测试（FT）主要是针对封装完成的半导体晶片，再次进行电性功能测试及各类动作。包装将完全封装好及经过FT测试合格之晶片放入承载盘或者真空塑胶管内，保证晶片有符合规格之存放环境，并便于后续运输。?EnterpriseIGLimited*Wafer制程及IC封装制程报告内容前言W