有机小分子电致发光材料.pptVIP

**讲完*开始*5.3.4其他掺杂型红光材料5.3.4.2卟啉类大环类红光材料将大环化合物如TPP，TPC或TRDPP掺杂在Alq3主体材料中制作成红色的EL器件ITO/TPD/Alq3:dopant(x%)/Mg:Ag，器件的FWHM只有~20nm。5.3.4其他掺杂型红光材料5.3.4.3其他掺杂型红光材料中性红衍生物a的EL效率随电流密度的升高不降低。器件ITO/NPB(60nm)/Alq3:a(1%,30nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(200nm)，最大亮度为18400cd/m2，在20mA/cm2时的电流密度时为5.2cd/A，掺杂的浓度不同在电流密度在1~500mA/cm2之间时，器件的效率几乎不变。5.3.5主体发光的非掺杂型红光材料使用掺杂的方法有效地提高了EL器件的性能，但红色染料的掺杂浓度区间对EL器件性能的影响很大，这增加了操作的复杂程度和难度，同时影响了器件的稳定性和重现性。另一种新的方法是发展主体发光的非掺杂型红色OLED。5.3.5主体发光的非掺杂型红光材料5.3.5.1具有D-π-D结构的芳香胺类化合物(PPA)(PSA)Pe：最大发射波长579nm,EL谱图上620nm处有激基缔合物的发射峰，器件色坐标(x=0.64,y=0.35)最大亮度为4800/m2ACEN系列化合物的发光波长620nm；溶液的荧光量子产率较低(5%~12%)；ACEN3和ACEN4是非晶态物质（TGA）;分子中的二芳胺基能有效地改善非晶态性质和固态荧光强度；但化合物的空穴传输特性导致载流子不在红色发光层复合；引入的电子传输材料TPBI或空穴阻挡材料BCP，降低了器件的效率。5.3.5主体发光的非掺杂型红光材料5.3.5.2D-π-A-π-D芳香胺类化合物D-π-A芳香胺类化合物极性大，固态容易聚集，荧光量子效率低。D-π-A-π-D化合物的反平行偶极能有效抑制固态荧光的浓度淬灭。OPV1~OPV4系列化物的腈基增多，发射峰红移；OPV4是纯红光(614nm)材料，这一现象对红光材料的结构设计有很大的指导意义。对称引入大共轭的三苯并苯以后，OPV5~OPV8实现了红光发射，单层器件的发光波长在630nm左右。推拉电子结构的优点：1、加强电荷转移吸收和相应的荧光发射强度;2、有利于材料的载流子传输平衡。基于NPAFN和BZTA2的OLED最大EL亮度分别为10034cd/m2和9134cd/m2;低电流密度下20mA/cm2，基于NPAFN的EL器件的亮度为455cd/m2。ITO/NPB(40nm)/NPAFN(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/Mg:AgITO/NPAFN(50nm)/BCP(0nm)/TPBI(30nm)/Mg:Ag在20~100mA/cm2的中等电流密度(5~9V)下，基于NPAFN的OLED效率与基于DCJTB掺杂型红色OLED一样稳定。5.3.5主体发光的非掺杂型红光材料5.3.5.3V形的D-π-A-π-D类化合物非掺杂型红光OLED材料TPZ和NPAMLMe以两个二芳胺为电子给体，分别以噻吩并吡嗪和顺丁烯二烯亚胺为电子受体。所以，TPZ和NPAMLMe是偶极材料。ITO/NPB(5nm)/NPAMLMe(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(40nm)/Mg:AgEL谱在8~16V范围内没有变化。BCP限制电荷在NPAMLMe层中进行复合，并防止Alq3发光虽然，基于BDCM的非掺杂型红光OLED性能不好，但是增大电流密度几乎不影响器件的色坐标，使器件具有更好的操作性能。5.3.5主体发光的非掺杂型红光材料5.3.5.4齐聚物发光材料T5,TSR,T5O和T5OMe的固体薄膜的荧光量子产率分别为2%.2%,11%和37%。表明引入多个取代基后可以抑制噻吩类齐聚物浓度淬灭。同时，化合物T5O和T5OMe具有电子传输能力。器件ITO/T5OMe/Ca/Al，7V时亮度为100cd/m2，效率为0.03cd/A.5.4金属配合物电致发光材料金属配合物既具有有机物的高荧光量子效率的优点，又有无机物的稳定性好的特点，被认为是最有应用前景的一类发光材料。金属配合物的金属配位数要饱和，避免真空蒸镀时发生分解。常用的金属离子：第I主族元素如Li+(配位数为2);第Ⅱ主族元素如Be2+，Mg2+(配位数为4);