comsol案例——肖特基接触.docx

1、本文档共6页，其中可免费阅读4页，需付费120金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

肖特基接触

本篇模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的抱负肖特基势垒二极管的行为。将从正向偏压下的模型获得的所得J-V〔电流密度与施加电压〕曲线与文献中觉察的试验测量进展比较介绍

当金属与半导体接触时，在接触处形成势垒。这主要是金属和半导体之间功函数差异的结果。在该模型中，抱负的肖特基接触用于对简洁的肖特基势垒二极管的行为进展建模。使用“理想”这个词意味着在这里，外表状态，图像力降低，隧道和集中效在界面处计算半导体与金属之间传输的电流应被无视。

留意，抱负的肖特基接触的特征在于热离子电流，其主要取决于施加的金属-半导体接触的偏压和势垒高度。这些接触通常发生在室温下掺杂浓度小于1×10