模拟电子技术基础(山东理工大学)智慧树知到课后章节答案2023年下山东理工大学.pdf

模拟电子技术基础（山东理工大学）智慧树知到课后章节答案2023年

下山东理工大学

山东理工大学

第一章测试

1.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR

的值等于3V

A:对B:错

答案:对

2.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR

的值等于0V

A:错B:对

答案:对

3.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电

压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V

A:2B:1C:0D:3

答案:0

4.电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，

假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V

A:2.1B:2.3C:2.2D:2.4

答案:2.3

5.

稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好

–

A:错B:对

答案:错

6.稳压管的正常工作区是反向区

A:对B:错

答案:错

7.二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，

且不随电流而变化

A:对B:错

答案:对

8.扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而

产生的

A:错B:对

答案:对

9.当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正

向偏置

A:错B:对

答案:对

10.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度

A:对B:错

答案:对

第二章测试

1.共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）

A:4B:1C:3D:2

答案:1

2.共集电极放大电路的输入电阻比较高

A:对B:错

答案:对

3.共集电极放大电路的输出电阻比较低

A:对B:错

答案:对

4.共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路

A:对B:错

答案:对

5.直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化

A:对B:错

答案:对

6.不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正

确吗

A:对B:错

答案:错

7.若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管

A:对B:错

答案:错

8.

由于I对温度非常敏感，当温度升高时，I增高很快，所以I增加得

CBOCBOCEO

也很快，IC也就相应增加

–

–

A:对B:错

答案:对

9.Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。3脚为B极，1脚为E极，2脚为

C极

A:对B:错

答案:对

10.Ul＝8V，U2＝2V，U3＝2.7V，为硅管。3脚为B极，2脚为E极，1脚为

C极

A:错B:对

答案:对

第三章测试

1.N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内。

A:为负B:可正可负C:为正

答案:可正可负

2.N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压

A:错B:对

答案:错

3.结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置，因此，其输入电阻很高。

A:对B:错

答案:对

4.跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系，Q点越高，gm越小