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数字CMOS集成电路设计基础
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
沟道长度调制
增加V将使漏结的耗尽区加大，从而
DS
缩短了有效沟道的长度，长度L减小时
电流会增加。
L–ΔL(Vds)
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
λIds=Idsat*(1+λ(Vds-Vdsat))
（3.30）
一般来说，与沟长成反比，因为沟长较短时，漏结耗尽区占了沟道的较
大部分，沟道的调制效应也更加显著。
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
速度饱和
沿沟道的电场达到某一临界值时，载流子的速度将由于散射效应（即载流子间的碰撞）
c
而趋于饱和。短沟器件由于速度饱和而显示出范围更大的饱和区。
速度饱和效应对晶体管的工作有很大的影响。图中
所画出的速度与电场的关系可以用下式来近似：
（3.31）
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
速度饱和
用修正过的速度公式得到电阻工作区漏极电流的修正式：
（3.32）
其中，κ(V)因子考虑了速度饱和的程度，它的定义如下：
（3.33）
V/
ds
使饱和情况下漏端电流等于V=V式的电流为：
DSDSAT
（3.34）
饱和时的漏电压为：
（3.35）
2.1.3MOS晶体管饱和、亚阈值及等效电阻
再谈速度饱和
如果有以下假设就可以得到一个明显较为简单的模型：
1.速度饱和即刻发生在ξc，即它可以近似为以下的表达式：
（3.36）
2.达到临界电场且出现饱和速度时的漏源电压VDSAT是一个常数，并可以近似为
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